碳化硅晶片的表面处理方法

被引：0

申请号：

CN202111660362.X

申请日：

2021-12-30

公开(公告)号：

CN114290132A

公开(公告)日：

2022-04-08

发明(设计)人：

郭钰刘春俊眭旭张世颖晁欢彭同华杨建

申请人：

申请人地址：

102600 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室

IPC主分类号：

B24B100

IPC分类号：

B24B716 B24B722 B24B4106

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

耿苑

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅表面处理方法 [P].

余盛杰 ;

肖明 ;

廖家豪 .

中国专利 :CN121075910A ,2025-12-05

[2]

碳化硅晶片表面清洗方法 [P].

徐良 ;

朱振佳 ;

蓝文安 ;

杨新鹏 ;

占俊杰 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

郭炜 ;

叶继春 ;

夏建白 .

中国专利 :CN111816549A ,2020-10-23

[3]

碳化硅晶片的表面加工方法 [P].

邱锦桢 ;

施郁霈 ;

李依晴 .

中国专利 :CN113471058A ,2021-10-01

[4]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746324B ,2024-04-30

[5]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746324A ,2021-05-04

[6]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746317A ,2021-05-04

[7]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746317B ,2024-05-31

[8]

一种UV固化有机硅/SiO<sub>2</sub>材料对碳化硅晶片的表面处理方法 [P].

郭钰 ;

眭旭 ;

魏福源 ;

刘春俊 ;

彭勇 ;

曾江 ;

彭同华 ;

杨建 .

中国专利 :CN118024054A ,2024-05-14

[9]

碳化硅晶片的加工方法 [P].

洪士哲 ;

余文怀 ;

徐文庆 .

中国专利 :CN115674003A ,2023-02-03

[10]

碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制造方法 [P].

堂本千秋 ;

正木克明 ;

柴田和也 ;

山口恵彥 ;

上山大辅 .

中国专利 :CN105940149A ,2016-09-14

← 1 2 3 4 5 →