半导体结构及其制备方法、存储器

被引：0

申请号：

CN202211228865.4

申请日：

2022-10-09

公开(公告)号：

CN115458528A

公开(公告)日：

2022-12-09

发明(设计)人：

蔡志勇张子玉潘杰明帆罗兴安周毅

申请人：

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人：

王炯德

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20221009
2022-12-09	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备 [P].

乔思 ;

唐兆云 ;

华文宇 ;

丁潇 ;

朱海鹏 ;

邢雨林 ;

张浩 ;

邓志 .

中国专利 :CN121001338A ,2025-11-21

[2]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

刘文静 ;

袁伟 ;

刘磊 .

中国专利 :CN114678376A ,2022-06-28

[3]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

吴双双 ;

刘志斌 ;

张中 ;

王迪 .

中国专利 :CN119923961A ,2025-05-02

[4]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

王均保 ;

李楷威 ;

王鹤林 ;

贾建权 ;

游开开 ;

崔佳萌 ;

张安 .

中国专利 :CN114497061A ,2022-05-13

[5]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

刘沙沙 ;

毛晓明 ;

李思晢 ;

黄文龙 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN114361170A ,2022-04-15

[6]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

曹开俊 ;

张文博 ;

彭盛 ;

陆智勇 ;

余凯 ;

程朝晖 ;

李张宜 ;

高晶 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN119835941A ,2025-04-15

[7]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

刘沙沙 ;

毛晓明 ;

李思晢 ;

黄文龙 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN114361170B ,2025-12-05

[8]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

贾信磊 ;

韩佳茵 ;

张安 ;

靳磊 .

中国专利 :CN119342805A ,2025-01-21

[9]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

王迪 ;

周文犀 ;

夏志良 .

中国专利 :CN114551344A ,2022-05-27

[10]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

刘思敏 ;

徐伟 ;

袁彬 ;

许波 ;

郭亚丽 ;

薛磊 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN118159026A ,2024-06-07

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