二次电池用封装材料、二次电池及二次电池用封装材料的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201480059408.4
申请日
2014-10-30
公开(公告)号
CN105684184A
公开(公告)日
2016-06-15
发明(设计)人
室井勇辉
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01M202
IPC分类号
B32B2732
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
张苏娜;常海涛
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
二次电池用封装材料、二次电池及二次电池用封装材料的制造方法 [P]. 
室井勇辉 .
中国专利 :CN113997669A ,2022-02-01
[2]
二次电池用负极、二次电池及二次电池用负极材料 [P]. 
濑良祐介 ;
织田明博 ;
星贤匠 ;
本棒英利 .
中国专利 :CN115088097A ,2022-09-20
[3]
二次电池用负极材料、二次电池、以及二次电池用负极材料的制造方法 [P]. 
柴田翔 .
日本专利 :CN121014117A ,2025-11-25
[4]
二次电池用负极材料、二次电池、以及二次电池用负极材料的制造方法 [P]. 
柴田翔 .
日本专利 :CN119366004A ,2025-01-24
[5]
二次电池用正极、二次电池及二次电池用正极的制造方法 [P]. 
森岛唯 ;
井上英俊 ;
中山邦彦 .
中国专利 :CN104541390A ,2015-04-22
[6]
二次电池用负极材料、二次电池用负极以及二次电池 [P]. 
孙仁德 ;
福井弘司 .
中国专利 :CN114467197A ,2022-05-10
[7]
二次电池用负极材料、二次电池用负极以及二次电池 [P]. 
孙仁德 ;
野里省二 ;
中寿贺章 .
中国专利 :CN112534608A ,2021-03-19
[8]
二次电池用正极材料、二次电池用正极材料的生产方法及二次电池 [P]. 
吉武秀哉 ;
芳尾真幸 ;
八田直树 ;
岩渕涉 ;
下村则之 .
中国专利 :CN105409034A ,2016-03-16
[9]
二次电池用负极材料、二次电池用负极、二次电池用负极材料的制造方法和二次电池用负极的制造方法 [P]. 
坂口裕树 ;
薄井洋行 ;
井上良二 ;
安藤节夫 ;
浅田贤 .
中国专利 :CN103229334A ,2013-07-31
[10]
二次电池用正极活性材料、二次电池、及二次电池用正极活性材料的制造方法 [P]. 
沼田达志 ;
富冈孝忠 .
中国专利 :CN1781202A ,2006-05-31