二次电池用封装材料、二次电池及二次电池用封装材料的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111250282.7

申请日：

2014-10-30

公开(公告)号：

CN113997669A

公开(公告)日：

2022-02-01

发明(设计)人：

室井勇辉

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

B32B2734

IPC分类号：

B32B2736 B32B712 B32B1520 B32B15088 B32B1509 B32B2732 B32B2730 B32B3712 B32B3706 B32B3708 B32B3816 B32B3710 H01M50129 H01M50119 H01M50105

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

常海涛;金小芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

二次电池用封装材料、二次电池及二次电池用封装材料的制造方法 [P].

室井勇辉 .

中国专利 :CN105684184A ,2016-06-15

[2]

二次电池用负极、二次电池及二次电池用负极材料 [P].

濑良祐介 ;

织田明博 ;

星贤匠 ;

本棒英利 .

中国专利 :CN115088097A ,2022-09-20

[3]

二次电池用负极材料、二次电池、以及二次电池用负极材料的制造方法 [P].

柴田翔 .

日本专利 :CN121014117A ,2025-11-25

[4]

二次电池用负极材料、二次电池、以及二次电池用负极材料的制造方法 [P].

柴田翔 .

日本专利 :CN119366004A ,2025-01-24

[5]

二次电池用正极、二次电池及二次电池用正极的制造方法 [P].

森岛唯 ;

井上英俊 ;

中山邦彦 .

中国专利 :CN104541390A ,2015-04-22

[6]

二次电池用负极材料、二次电池用负极以及二次电池 [P].

孙仁德 ;

福井弘司 .

中国专利 :CN114467197A ,2022-05-10

[7]

二次电池用负极材料、二次电池用负极以及二次电池 [P].

孙仁德 ;

野里省二 ;

中寿贺章 .

中国专利 :CN112534608A ,2021-03-19

[8]

二次电池用正极材料、二次电池用正极材料的生产方法及二次电池 [P].

吉武秀哉 ;

芳尾真幸 ;

八田直树 ;

岩渕涉 ;

下村则之 .

中国专利 :CN105409034A ,2016-03-16

[9]

二次电池用负极材料、二次电池用负极、二次电池用负极材料的制造方法和二次电池用负极的制造方法 [P].

坂口裕树 ;

薄井洋行 ;

井上良二 ;

安藤节夫 ;

浅田贤 .

中国专利 :CN103229334A ,2013-07-31

[10]

二次电池用正极活性材料、二次电池、及二次电池用正极活性材料的制造方法 [P].

沼田达志 ;

富冈孝忠 .

中国专利 :CN1781202A ,2006-05-31

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B32B 27/34 申请日:20141030
2022-02-01	公开	公开