一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010388875.9

申请日：

2020-05-09

公开(公告)号：

CN113622017A

公开(公告)日：

2021-11-09

发明(设计)人：

王建波周锐邓浩李侨付泽华张龙龙徐战军张永辉张伟建

申请人：

申请人地址：

710100 陕西省西安市长安区航天中路388号

IPC主分类号：

C30B1504

IPC分类号：

C30B1520 C30B2906

代理机构：

北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319

代理人：

赵娟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法 [P].

王建波 ;

周锐 ;

邓浩 ;

李侨 ;

付泽华 ;

张龙龙 ;

徐战军 ;

张永辉 ;

张伟建 .

中国专利 :CN113622017B ,2024-11-19

[2]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[3]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

[4]

单晶硅锭的制造方法及单晶硅锭 [P].

宝来正隆 ;

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN110536980B ,2019-12-03

[5]

单晶硅制造方法以及单晶硅晶片 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110036143A ,2019-07-19

[6]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

坂本英城 ;

杉村涉 ;

横山龙介 ;

松岛直辉 ;

四井拓也 .

日本专利 :CN120981615A ,2025-11-18

[7]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

杉村涉 ;

横山龙介 ;

坂本英城 ;

松岛直辉 ;

村松祐 .

日本专利 :CN121002233A ,2025-11-21

[8]

单晶硅的制造方法及单晶硅 [P].

横山龙介 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108291327A ,2018-07-17

[9]

单晶硅锭的制造方法及单晶硅培育装置 [P].

杉村涉 ;

宝来正隆 .

中国专利 :CN110678585A ,2020-01-10

[10]

单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

小林武史 ;

森达生 ;

布施川泉 ;

太田友彦 .

中国专利 :CN1406292A ,2003-03-26

← 1 2 3 4 5 →