具有改进的暗电流性能的图像传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210239820.7

申请日：

2012-07-10

公开(公告)号：

CN103107175A

公开(公告)日：

2013-05-15

发明(设计)人：

翁伟智黄薰莹张永承卓金鸿

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-28	授权	授权
2013-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101472129949 IPC(主分类):H01L 27/146 专利申请号:2012102398207 申请日:20120710
2013-05-15	公开	公开

共 50 条

[1]

具有改进的暗电流性能的图像传感器 [P].

高敏峰 ;

杨敦年 ;

刘人诚 ;

洪丰基 ;

蔡双吉 ;

林政贤 ;

庄俊杰 .

中国专利 :CN104051481A ,2014-09-17

[2]

具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器 [P].

徐辰 ;

石文杰 ;

戚德奎 ;

王欣 ;

杨光 ;

邵泽旭 .

中国专利 :CN109904184A ,2019-06-18

[3]

具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器 [P].

徐辰 ;

石文杰 ;

戚德奎 ;

王欣 ;

杨光 ;

邵泽旭 .

中国专利 :CN109904184B ,2024-04-05

[4]

具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器 [P].

徐辰 ;

石文杰 ;

戚德奎 ;

王欣 ;

杨光 ;

邵泽旭 .

中国专利 :CN210200732U ,2020-03-27

[5]

减小背照式图像传感器的暗电流 [P].

吕受书 ;

黄薰莹 ;

黄信荣 ;

邱俊贸 ;

萧家棋 ;

张永承 .

中国专利 :CN103137633A ,2013-06-05

[6]

暗电流检测结构及图像传感器的暗电流检测方法 [P].

章曦 ;

郑晓 .

中国专利 :CN121037555A ,2025-11-28

[7]

具有压缩层的图像传感器 [P].

曹钧涵 ;

赖志育 ;

黄志辉 ;

吴政达 ;

杜友伦 ;

王俊智 ;

丁世汎 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN103489884B ,2014-01-01

[8]

一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法 [P].

张武志 ;

魏峥颖 ;

王艳生 ;

周维 ;

孙昌 ;

钱俊 .

中国专利 :CN106783899A ,2017-05-31

[9]

一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法 [P].

奚超超 ;

蔡信裕 ;

陈建铨 .

中国专利 :CN114335045B ,2022-04-12

[10]

降低图像传感器表面暗电流的方法及图像传感器 [P].

黄文军 ;

陈世杰 ;

唐昭焕 ;

张斌 .

中国专利 :CN112117292A ,2020-12-22

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