一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611092332.2

申请日：

2016-11-30

公开(公告)号：

CN106783899A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

张武志魏峥颖王艳生周维孙昌钱俊

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;陈慧弘

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-31	公开	公开
2020-10-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 27/146 申请公布日:20170531
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729308462 IPC(主分类):H01L 27/146 专利申请号:2016110923322 申请日:20161130

共 50 条

[1]

一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法 [P].

奚超超 ;

蔡信裕 ;

陈建铨 .

中国专利 :CN114335045B ,2022-04-12

[2]

一种降低扩散暗电流的CMOS图像传感器像素结构 [P].

徐江涛 ;

王瑞硕 ;

夏梦真 ;

史兴萍 ;

李凤 .

中国专利 :CN111403426A ,2020-07-10

[3]

一种降低图像传感器暗电流的方法 [P].

田志 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN104992954B ,2015-10-21

[4]

减小CMOS图像传感器暗电流的表面钝化 [P].

C·-H·吴 ;

T·赵 ;

X·何 .

中国专利 :CN100492648C ,2003-05-21

[5]

一种降低图像传感器表面暗电流的方法 [P].

冒伟伟 ;

郑展 ;

付文 ;

赵立新 .

中国专利 :CN120187129A ,2025-06-20

[6]

背照式图像传感器及降低背照式图像传感器暗电流的方法 [P].

李文强 ;

赵立新 ;

李杰 ;

徐泽 .

中国专利 :CN103441133B ,2013-12-11

[7]

CMOS图像传感器的制备方法和CMOS图像传感器 [P].

沈鑫 ;

陈辉 ;

秋沉沉 ;

钱俊 ;

孙昌 .

中国专利 :CN118676165A ,2024-09-20

[8]

CMOS图像传感器及其制作方法 [P].

苏林 ;

朱虹 .

中国专利 :CN102651372A ,2012-08-29

[9]

消除CMOS图像传感器浅沟槽隔离诱导暗电流的方法 [P].

白英英 ;

李娟娟 ;

田志 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN105870004A ,2016-08-17

[10]

一种CMOS图像传感器及其制备方法 [P].

陈建奇 .

中国专利 :CN103579261A ,2014-02-12

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