减小CMOS图像传感器暗电流的表面钝化

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02157576.2

申请日：

2002-11-04

公开(公告)号：

CN100492648C

公开(公告)日：

2003-05-21

发明(设计)人：

C·-H·吴 T·赵 X·何

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

H01L2714

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

邹光新;张志醒

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-22	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20021104 授权公告日:20090527
2004-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-10-20	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/146 变更事项:专利权人变更前:全视技术有限公司变更后:豪威科技股份有限公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州
2009-05-27	授权	授权
2003-05-21	公开	公开

共 50 条

[1]

用于减小暗电流的图像传感器及其制造方法 [P].

慎宗哲 .

中国专利 :CN100557808C ,2005-12-14

[2]

一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法 [P].

张武志 ;

魏峥颖 ;

王艳生 ;

周维 ;

孙昌 ;

钱俊 .

中国专利 :CN106783899A ,2017-05-31

[3]

一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法 [P].

奚超超 ;

蔡信裕 ;

陈建铨 .

中国专利 :CN114335045B ,2022-04-12

[4]

CMOS图像传感器中具有减弱的暗电流的有源像素 [P].

X·何 ;

C·－H·吴 ;

T·赵 .

中国专利 :CN100361309C ,2003-05-14

[5]

一种降低扩散暗电流的CMOS图像传感器像素结构 [P].

徐江涛 ;

王瑞硕 ;

夏梦真 ;

史兴萍 ;

李凤 .

中国专利 :CN111403426A ,2020-07-10

[6]

减小背照式图像传感器的暗电流 [P].

吕受书 ;

黄薰莹 ;

黄信荣 ;

邱俊贸 ;

萧家棋 ;

张永承 .

中国专利 :CN103137633A ,2013-06-05

[7]

一种降低图像传感器表面暗电流的方法 [P].

冒伟伟 ;

郑展 ;

付文 ;

赵立新 .

中国专利 :CN120187129A ,2025-06-20

[8]

降低图像传感器表面暗电流的方法及图像传感器 [P].

黄文军 ;

陈世杰 ;

唐昭焕 ;

张斌 .

中国专利 :CN112117292A ,2020-12-22

[9]

具有减小的暗电流的背侧照明式图像传感器 [P].

弗雷德里克·T·布雷迪 ;

约翰·P·麦卡滕 .

中国专利 :CN102077350A ,2011-05-25

[10]

一种CMOS图像传感器的暗电流像素级抑制电路及方法 [P].

李婷 ;

何杰 ;

曹天骄 ;

徐晚成 ;

袁昕 ;

张曼 ;

崔双韬 ;

李海松 ;

杨靓 .

中国专利 :CN120676262A ,2025-09-19

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