纳米孪晶铜结构的电沉积

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980087479.8

申请日：

2019-10-28

公开(公告)号：

CN113260739A

公开(公告)日：

2021-08-13

发明(设计)人：

斯蒂芬·J·巴尼克二世布莱恩·L·巴卡柳贾斯廷·奥伯斯特布万·杜阿阿妮卡·尼科尔·诺伊曼托马斯·安纳德·庞努斯瓦米

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C25D518

IPC分类号：

C25D510 C25D712 C25D338 H01L21288 H01L21768 B82Y4000

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠;张华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

用于铜纳米孪晶电沉积的组合物 [P].

M·阿诺德 ;

A·弗鲁格尔 ;

C·H·夏 ;

N·恩格尔哈特 ;

张淑雅 ;

陈俊达 .

德国专利 :CN120457244A ,2025-08-08

[2]

用于电沉积纳米孪晶铜的组合物和方法 [P].

韩建文 ;

叶萍萍 ;

凯尔·M·惠滕 ;

S·I·布雷 ;

T·B·理查德森 ;

埃利·H·纳贾尔 .

美国专利 :CN117795135A ,2024-03-29

[3]

纳米孪晶铜部件 [P].

李愷淳 ;

周恒正 ;

J·A·尤尔科 ;

郭伟民 ;

Z·D·范伯格 ;

D·C·韦格曼 ;

E·S·约尔 ;

H·伊斯梅尔丽 .

中国专利 :CN112941586A ,2021-06-11

[4]

一种纳米孪晶铜电镀液、电镀方法以及纳米孪晶铜 [P].

高丽茵 ;

刘瑾昊 ;

刘志权 ;

景宇豪 .

中国专利 :CN121023598A ,2025-11-28

[5]

一种纳米孪晶铜沉积基材的键合方法 [P].

孙庆磊 ;

李嘉宁 ;

刘富初 ;

蒋宏勇 ;

李施霖 ;

陈博远 .

中国专利 :CN119650446B ,2025-08-29

[6]

一种纳米孪晶铜沉积基材的键合方法 [P].

孙庆磊 ;

李嘉宁 ;

刘富初 ;

蒋宏勇 ;

李施霖 ;

陈博远 .

中国专利 :CN119650446A ,2025-03-18

[7]

纳米孪晶铜结构上的直接铜线键合 [P].

J·奥斯特里亚 ;

R·F·德阿西斯 ;

J·S·索拉斯 .

美国专利 :CN119920769A ,2025-05-02

[8]

采用高频脉冲制备纳米孪晶铜层的方法 [P].

张新平 ;

詹晓非 .

中国专利 :CN110592621A ,2019-12-20

[9]

纳米孪晶铜再布线的制备方法 [P].

李珩 ;

罗乐 ;

朱春生 ;

叶交托 ;

徐高卫 .

中国专利 :CN104392939A ,2015-03-04

[10]

具有纳米孪晶辅助的结构上稳定的铜结构的IC封装 [P].

冯宪平 ;

钟志君 ;

程圣杰 ;

牟凯钰 .

中国专利 :CN118693034A ,2024-09-24

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-13	公开	公开
2021-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 5/18 申请日:20191028