用于EUV光刻的表膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080027740.8

申请日：

2020-03-23

公开(公告)号：

CN113646697A

公开(公告)日：

2021-11-12

发明(设计)人：

A·沙菲科夫 F·毕爵柯克 B·斯科林克 J·M·斯特姆 R·W·E·范德克鲁伊爵斯

申请人：

申请人地址：

荷兰维德霍温

IPC主分类号：

G03F162

IPC分类号：

G03F720

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

胡良均

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/62 申请日:20200323
2021-11-12	公开	公开

共 50 条

[1]

用于EUV光刻的表膜 [P].

保罗·亚历山大·维梅伦 ;

V·D·希尔德布兰德 ;

I·唐梅兹诺扬 .

:CN118891582A ,2024-11-01

[2]

用于EUV光刻术的表膜 [P].

D·德格拉夫 ;

R·博德里 ;

M·比龙 ;

保罗·詹森 ;

T·卡特 ;

K·科尔内森 ;

M·A·J·库伊肯 ;

J·H·W·昆特泽 ;

S·马特尔 ;

马克西姆·A·纳萨勒维奇 ;

G·萨尔玛索 ;

彼得-詹·范兹沃勒 .

中国专利 :CN112041743A ,2020-12-04

[3]

用于EUV光刻术的表膜 [P].

D·德格拉夫 ;

R·博德里 ;

M·比龙 ;

保罗·詹森 ;

T·卡特 ;

K·科尔内森 ;

M·A·J·库伊肯 ;

J·H·W·昆特泽 ;

S·马特尔 ;

马克西姆·A·纳萨勒维奇 ;

G·萨尔玛索 ;

彼得-詹·范兹沃勒 .

:CN120010178A ,2025-05-16

[4]

用于EUV光刻术的表膜 [P].

D·德格拉夫 ;

R·博德里 ;

M·比龙 ;

保罗·詹森 ;

T·卡特 ;

K·科尔内森 ;

M·A·J·库伊肯 ;

J·H·W·昆特泽 ;

S·马特尔 ;

马克西姆·A·纳萨勒维奇 ;

G·萨尔玛索 ;

彼得-詹·范兹沃勒 .

:CN112041743B ,2025-04-11

[5]

用于EUV光刻的护膜 [P].

洪朱憙 ;

朴铁均 ;

崔文洙 ;

金东会 .

韩国专利 :CN117471844A ,2024-01-30

[6]

EUV光刻用表膜及其制造方法 [P].

河泰中 .

中国专利 :CN114859650A ,2022-08-05

[7]

EUV光刻用EUV活性膜 [P].

罗伯特·克拉克 .

日本专利 :CN118284855A ,2024-07-02

[8]

用于EUV光刻的底层 [P].

梁懿宸 ;

A·M·查克 ;

王玉宝 ;

D·J·格雷罗 .

中国专利 :CN114556528A ,2022-05-27

[9]

用于EUV光刻的隔膜 [P].

Z·S·豪厄林 ;

M·吉亚西卡比里 ;

A·J·M·吉斯贝斯 ;

L·I·J·C·贝格斯 .

:CN120712518A ,2025-09-26

[10]

用于EUV光刻的超薄超低密度膜 [P].

M·D·利马 ;

植田贵洋 .

美国专利 :CN119620531A ,2025-03-14

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