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用于EUV光刻术的表膜

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201980029381.7
申请日：
2019-04-12
公开(公告)号：
CN112041743A
公开(公告)日：
2020-12-04
发明(设计)人：
D·德格拉夫 R·博德里 M·比龙 保罗·詹森 T·卡特 K·科尔内森 M·A·J·库伊肯 J·H·W·昆特泽 S·马特尔 马克西姆·A·纳萨勒维奇 G·萨尔玛索 彼得-詹·范兹沃勒
申请人：
申请人地址：
荷兰维德霍温
IPC主分类号：
G03F162
IPC分类号：
G03F720
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
王璐璐
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-05-28 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/62 申请日:20190412
2020-12-04 公开 公开
共 50 条
[1]
用于EUV光刻术的表膜 [P]. 
D·德格拉夫 ;
R·博德里 ;
M·比龙 ;
保罗·詹森 ;
T·卡特 ;
K·科尔内森 ;
M·A·J·库伊肯 ;
J·H·W·昆特泽 ;
S·马特尔 ;
马克西姆·A·纳萨勒维奇 ;
G·萨尔玛索 ;
彼得-詹·范兹沃勒 .
:CN120010178A ,2025-05-16
[2]
用于EUV光刻术的表膜 [P]. 
D·德格拉夫 ;
R·博德里 ;
M·比龙 ;
保罗·詹森 ;
T·卡特 ;
K·科尔内森 ;
M·A·J·库伊肯 ;
J·H·W·昆特泽 ;
S·马特尔 ;
马克西姆·A·纳萨勒维奇 ;
G·萨尔玛索 ;
彼得-詹·范兹沃勒 .
:CN112041743B ,2025-04-11
[3]
用于EUV光刻的表膜 [P]. 
保罗·亚历山大·维梅伦 ;
V·D·希尔德布兰德 ;
I·唐梅兹诺扬 .
:CN118891582A ,2024-11-01
[4]
用于EUV光刻的表膜 [P]. 
A·沙菲科夫 ;
F·毕爵柯克 ;
B·斯科林克 ;
J·M·斯特姆 ;
R·W·E·范德克鲁伊爵斯 .
中国专利 :CN113646697A ,2021-11-12
[5]
用于EUV光刻术的隔膜 [P]. 
M·A·纳萨莱维奇 ;
E·A·阿贝格 ;
N·班纳吉 ;
M·A·布劳 ;
德克·S·G·布龙 ;
保罗·詹森 ;
M·可鲁依宁嘉 ;
E·兰德林克 ;
N·马克西姆 ;
A·尼基帕罗夫 ;
A·W·诺滕博姆 ;
C·彼烈戈 ;
M·彼得 ;
G·里斯朋斯 ;
N·舒 ;
M·A·范德柯克霍夫 ;
威廉·琼·范德赞德 ;
彼得-詹·范兹沃勒 ;
A·W·弗尔堡 ;
J·P·M·B·沃缪伦 ;
D·F·弗莱斯 ;
W-P·福尔蒂森 ;
A·N·兹德拉夫科夫 .
中国专利 :CN109154771B ,2019-01-04
[6]
用于EUV光刻术的隔膜 [P]. 
M·A·纳萨莱维奇 ;
E·A·阿贝格 ;
N·班纳吉 ;
M·A·布劳 ;
德克·S·G·布龙 ;
保罗·詹森 ;
M·可鲁依宁嘉 ;
E·兰德林克 ;
N·马克西姆 ;
A·尼基帕罗夫 ;
A·W·诺滕博姆 ;
C·彼烈戈 ;
M·彼得 ;
G·里斯朋斯 ;
N·舒 ;
M·A·范德柯克霍夫 ;
威廉·琼·范德赞德 ;
彼得-詹·范兹沃勒 ;
A·W·弗尔堡 ;
J·P·M·B·沃缪伦 ;
D·F·弗莱斯 ;
W-P·福尔蒂森 ;
A·N·兹德拉夫科夫 .
中国专利 :CN114942566A ,2022-08-26
[7]
用于EUV光刻的护膜 [P]. 
洪朱憙 ;
朴铁均 ;
崔文洙 ;
金东会 .
韩国专利 :CN117471844A ,2024-01-30
[8]
EUV光刻用表膜及其制造方法 [P]. 
河泰中 .
中国专利 :CN114859650A ,2022-08-05
[9]
EUV光刻用EUV活性膜 [P]. 
罗伯特·克拉克 .
日本专利 :CN118284855A ,2024-07-02
[10]
用于EUV光刻的底层 [P]. 
梁懿宸 ;
A·M·查克 ;
王玉宝 ;
D·J·格雷罗 .
中国专利 :CN114556528A ,2022-05-27
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