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半导体结构及其形成方法

被引：0
申请号：
CN202110606219.6
申请日：
2021-05-31
公开(公告)号：
CN115483153A
公开(公告)日：
2022-12-16
发明(设计)人：
许增升 荆学珍 张浩 段超 成国良
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
H01L23528
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
徐文欣
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2023-01-03 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20210531
2022-12-16 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王艳良 .
中国专利 :CN113745108A ,2021-12-03
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
许增升 ;
荆学珍 ;
张浩 ;
段超 ;
成国良 .
中国专利 :CN115483153B ,2025-02-18
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王艳良 .
中国专利 :CN113745108B ,2025-01-14
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
林熙 ;
王胜 .
中国专利 :CN112242347B ,2025-08-19
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
林熙 ;
王胜 .
中国专利 :CN112242347A ,2021-01-19
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
赵振阳 .
中国专利 :CN118198108A ,2024-06-14
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
盛丽萍 ;
吴永玉 .
中国专利 :CN119521711A ,2025-02-25
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
刘盼盼 .
中国专利 :CN113053751A ,2021-06-29
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
何永根 .
中国专利 :CN105655253B ,2016-06-08
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
何永根 .
中国专利 :CN105655398A ,2016-06-08
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