半导体PN结二极管器件的温升测量方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510112676.0

申请日：

2005-10-14

公开(公告)号：

CN1743864A

公开(公告)日：

2006-03-08

发明(设计)人：

冯士维谢雪松吕长志程尧海

申请人：

申请人地址：

100022北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

H01L2166

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司

代理人：

张慧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-03-08	公开	公开
2016-02-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101645509911 IPC(主分类):G01R 31/26 专利号:ZL2005101126760 申请日:20051014 授权公告日:20080312 终止日期:20141014
2006-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体PN结二极管器件的温升和热阻测量装置 [P].

冯士维 ;

谢雪松 ;

吕长志 ;

程尧海 .

中国专利 :CN2901333Y ,2007-05-16

[2]

包括PN结二极管的半导体装置 [P].

维特·桑·迪恩 ;

马里纳·弗劳贝尔 ;

保罗·亚历山大·格鲁多斯基 .

中国专利 :CN110970507A ,2020-04-07

[3]

包括PN结二极管的半导体装置 [P].

维特·桑·迪恩 ;

马里纳·弗劳贝尔 ;

保罗·亚历山大·格鲁多斯基 .

:CN110970507B ,2025-02-25

[4]

pn结二极管 [P].

高冢章夫 ;

佐佐木公平 .

日本专利 :CN117981091A ,2024-05-03

[5]

半导体发光二极管器件 [P].

张昊翔 ;

金豫浙 ;

封飞飞 ;

万远涛 ;

高耀辉 ;

李东昇 ;

江忠永 .

中国专利 :CN202549915U ,2012-11-21

[6]

半导体器件及肖特基二极管 [P].

李聪 ;

王勇 ;

李秉隆 ;

张文平 .

中国专利 :CN221379345U ,2024-07-19

[7]

包括二极管的半导体器件 [P].

H-G.埃克尔 ;

J.舒曼 .

中国专利 :CN102569298A ,2012-07-11

[8]

半导体激光二极管，用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管装置 [P].

塞巴斯蒂安·特格尔 ;

亚历山大·巴赫曼 .

中国专利 :CN105830291A ,2016-08-03

[9]

一种发光二极管的结温测量方法及应用 [P].

招瑜 ;

钟文姣 ;

魏爱香 ;

刘俊 ;

黄智灏 ;

赵定健 ;

黎文辉 ;

李耀鹏 ;

王仲东 .

中国专利 :CN103217229B ,2013-07-24

[10]

深区PN结二极管 [P].

孙本栋 ;

林志刚 .

中国专利 :CN87100967A ,1987-11-11

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