半导体PN结二极管器件的温升和热阻测量装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200520128067.X

申请日：

2005-10-14

公开(公告)号：

CN2901333Y

公开(公告)日：

2007-05-16

发明(设计)人：

冯士维谢雪松吕长志程尧海

申请人：

申请人地址：

100022北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

H01L2166

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司

代理人：

张慧

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-16	授权	授权
2011-12-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101156512558 IPC(主分类):G01R 31/26 专利号:ZL200520128067X 申请日:20051014 授权公告日:20070516 终止日期:20101014

共 50 条

[1]

半导体PN结二极管器件的温升测量方法及装置 [P].

冯士维 ;

谢雪松 ;

吕长志 ;

程尧海 .

中国专利 :CN1743864A ,2006-03-08

[2]

包括PN结二极管的半导体装置 [P].

维特·桑·迪恩 ;

马里纳·弗劳贝尔 ;

保罗·亚历山大·格鲁多斯基 .

中国专利 :CN110970507A ,2020-04-07

[3]

包括PN结二极管的半导体装置 [P].

维特·桑·迪恩 ;

马里纳·弗劳贝尔 ;

保罗·亚历山大·格鲁多斯基 .

:CN110970507B ,2025-02-25

[4]

pn结二极管 [P].

高冢章夫 ;

佐佐木公平 .

日本专利 :CN117981091A ,2024-05-03

[5]

半导体发光二极管器件 [P].

张昊翔 ;

金豫浙 ;

封飞飞 ;

万远涛 ;

高耀辉 ;

李东昇 ;

江忠永 .

中国专利 :CN202549915U ,2012-11-21

[6]

沟槽二极管和功率半导体器件 [P].

朴锺镐 ;

胡尚寿 ;

李相龙 ;

金世云 .

中国专利 :CN210296387U ,2020-04-10

[7]

半导体激光二极管和半导体器件 [P].

亚历山大·巴赫曼 ;

罗兰德·海因里希·恩茨曼 ;

米夏埃尔·米勒 .

中国专利 :CN111133640A ,2020-05-08

[8]

半导体激光二极管和半导体器件 [P].

亚历山大·巴赫曼 ;

罗兰德·海因里希·恩茨曼 ;

米夏埃尔·米勒 .

德国专利 :CN111133640B ,2024-04-16

[9]

半导体器件和半导体二极管结构 [P].

J·C·J·杰森斯 ;

J·皮杰卡克 .

中国专利 :CN204966508U ,2016-01-13

[10]

半导体器件、二极管以及半导体结构 [P].

F·拉努瓦 ;

A·安考迪诺维 ;

V·罗多维 .

中国专利 :CN206401321U ,2017-08-11

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