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半导体激光二极管和半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201880062078.2
申请日：
2018-09-20
公开(公告)号：
CN111133640B
公开(公告)日：
2024-04-16
发明(设计)人：
亚历山大·巴赫曼 罗兰德·海因里希·恩茨曼 米夏埃尔·米勒
申请人：
欧司朗OLED股份有限公司
申请人地址：
德国雷根斯堡
IPC主分类号：
H01S5/022
IPC分类号：
H01S5/024 H01S5/042
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
王逸君;张春水
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-04-16 授权 授权
2025-03-07 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):H01S 5/022登记生效日:20250220变更事项:专利权人变更前权利人:欧司朗OLED股份有限公司变更后权利人:艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司变更事项:国家或地区变更前权利人:德国变更后权利人:德国变更事项:地址变更前权利人:德国雷根斯堡变更后权利人:德国雷根斯堡
共 50 条
[1]
半导体激光二极管和半导体器件 [P]. 
亚历山大·巴赫曼 ;
罗兰德·海因里希·恩茨曼 ;
米夏埃尔·米勒 .
中国专利 :CN111133640A ,2020-05-08
[2]
半导体激光二极管，用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管装置 [P]. 
塞巴斯蒂安·特格尔 ;
亚历山大·巴赫曼 .
中国专利 :CN105830291A ,2016-08-03
[3]
半导体激光二极管的制造方法和半导体激光二极管 [P]. 
佐藤恒辅 ;
岩谷素显 .
日本专利 :CN113497406B ,2024-04-30
[4]
半导体激光二极管的制造方法和半导体激光二极管 [P]. 
佐藤恒辅 ;
岩谷素显 .
中国专利 :CN113497406A ,2021-10-12
[5]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾希勒 ;
克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 .
中国专利 :CN109390844A ,2019-02-26
[6]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
德国专利 :CN113851932B ,2024-10-18
[7]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
中国专利 :CN110140264B ,2019-08-16
[8]
半导体激光二极管 [P]. 
B.施托耶茨 ;
A.莱尔 ;
C.艾希勒 .
中国专利 :CN103701036B ,2014-04-02
[9]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
中国专利 :CN113851932A ,2021-12-28
[10]
半导体激光二极管 [P]. 
克里斯蒂安·劳尔 ;
哈拉尔德·柯尼希 ;
乌韦·施特劳斯 ;
亚历山大·巴赫曼 .
中国专利 :CN103975490A ,2014-08-06
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