半导体激光二极管的制造方法和半导体激光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110300376.4

申请日：

2021-03-22

公开(公告)号：

CN113497406A

公开(公告)日：

2021-10-12

发明(设计)人：

佐藤恒辅岩谷素显

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01S502

IPC分类号：

H01S5028 H01S5042

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-12	公开	公开
2021-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/02 申请日:20210322

共 50 条

[1]

半导体激光二极管的制造方法和半导体激光二极管 [P].

佐藤恒辅 ;

岩谷素显 .

日本专利 :CN113497406B ,2024-04-30

[2]

半导体激光二极管，用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管装置 [P].

塞巴斯蒂安·特格尔 ;

亚历山大·巴赫曼 .

中国专利 :CN105830291A ,2016-08-03

[3]

半导体激光二极管和用于制造半导体激光二极管的方法 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾希勒 ;

阿尔弗雷德·莱尔 ;

穆罕默德·阿里 .

德国专利 :CN113574749B ,2024-07-30

[4]

半导体激光二极管和用于制造半导体激光二极管的方法 [P].

艾尔弗雷德·莱尔 ;

塞巴斯蒂安·特格尔 .

中国专利 :CN110537303A ,2019-12-03

[5]

半导体激光二极管和用于制造半导体激光二极管的方法 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾希勒 ;

阿尔弗雷德·莱尔 ;

穆罕默德·阿里 .

中国专利 :CN113574749A ,2021-10-29

[6]

用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管 [P].

贝恩哈德·施托耶茨 ;

艾尔弗雷德·莱尔 ;

克里斯托夫·艾克勒 .

中国专利 :CN104685734A ,2015-06-03

[7]

半导体激光二极管 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾希勒 ;

克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 .

中国专利 :CN109390844A ,2019-02-26

[8]

半导体激光二极管 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

艾尔弗雷德·莱尔 ;

贝恩哈德·施托耶茨 .

德国专利 :CN113851932B ,2024-10-18

[9]

半导体激光二极管 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

艾尔弗雷德·莱尔 ;

贝恩哈德·施托耶茨 .

中国专利 :CN110140264B ,2019-08-16

[10]

半导体激光二极管 [P].

B.施托耶茨 ;

A.莱尔 ;

C.艾希勒 .

中国专利 :CN103701036B ,2014-04-02

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