半导体器件、二极管以及半导体结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201621301034.5

申请日：

2016-11-30

公开(公告)号：

CN206401321U

公开(公告)日：

2017-08-11

发明(设计)人：

F·拉努瓦 A·安考迪诺维 V·罗多维

申请人：

申请人地址：

法国图尔

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29861

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华;吕世磊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-11	授权	授权
2021-04-09	避免重复授权放弃专利权	避免重复授予专利权 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20161130 授权公告日:20170811 放弃生效日:20210409

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体二极管结构 [P].

J·C·J·杰森斯 ;

J·皮杰卡克 .

中国专利 :CN204966508U ,2016-01-13

[2]

半导体器件及肖特基二极管 [P].

李聪 ;

王勇 ;

李秉隆 ;

张文平 .

中国专利 :CN221379345U ,2024-07-19

[3]

半导体激光二极管和半导体器件 [P].

亚历山大·巴赫曼 ;

罗兰德·海因里希·恩茨曼 ;

米夏埃尔·米勒 .

中国专利 :CN111133640A ,2020-05-08

[4]

半导体激光二极管和半导体器件 [P].

亚历山大·巴赫曼 ;

罗兰德·海因里希·恩茨曼 ;

米夏埃尔·米勒 .

德国专利 :CN111133640B ,2024-04-16

[5]

半导体器件结构、肖特基二极管 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

张楠 ;

陈朋 ;

马艳红 .

中国专利 :CN212084944U ,2020-12-04

[6]

具有内置二极管IGBT的半导体器件和具有内置二极管DMOS的半导体器件 [P].

河野宪司 .

中国专利 :CN101414816A ,2009-04-22

[7]

半导体结构以及功率二极管 [P].

李理 .

中国专利 :CN119325269A ,2025-01-17

[8]

半导体二极管 [P].

叶惠东 .

中国专利 :CN204966507U ,2016-01-13

[9]

新型半导体二极管结构 [P].

王小杰 .

中国专利 :CN204189782U ,2015-03-04

[10]

沟槽二极管和功率半导体器件 [P].

朴锺镐 ;

胡尚寿 ;

李相龙 ;

金世云 .

中国专利 :CN210296387U ,2020-04-10

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