半导体结构以及功率二极管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411440274.2
申请日
2024-10-15
公开(公告)号
CN119325269A
公开(公告)日
2025-01-17
发明(设计)人
李理
申请人
珠海格力电子元器件有限公司 珠海格力电器股份有限公司
申请人地址
519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)
IPC主分类号
H10D62/10
IPC分类号
H10D8/00
代理机构
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人
崔雅茹
法律状态
实质审查的生效
国省代码
广东省 珠海市
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共 50 条
[1]
半导体器件、二极管以及半导体结构 [P]. 
F·拉努瓦 ;
A·安考迪诺维 ;
V·罗多维 .
中国专利 :CN206401321U ,2017-08-11
[2]
光电二极管以及半导体结构 [P]. 
Y·本哈穆 ;
D·格兰斯基 ;
D·里多 .
中国专利 :CN211150577U ,2020-07-31
[3]
半导体二极管以及用于形成半导体二极管的方法 [P]. 
A.毛德 ;
H-J.舒尔策 ;
P.森格 .
中国专利 :CN103208529A ,2013-07-17
[4]
半导体二极管 [P]. 
杨明宗 ;
李东兴 .
中国专利 :CN102842621A ,2012-12-26
[5]
半导体二极管 [P]. 
H-J·舒尔策 ;
J·G·拉文 ;
R·巴布斯克 .
中国专利 :CN105006489B ,2015-10-28
[6]
半导体二极管 [P]. 
叶惠东 .
中国专利 :CN204966507U ,2016-01-13
[7]
半导体二极管 [P]. 
W·克勒 .
中国专利 :CN1283309A ,2001-02-07
[8]
半导体二极管 [P]. 
陈硕懋 .
中国专利 :CN101582457A ,2009-11-18
[9]
软恢复功率半导体二极管 [P]. 
许海东 .
中国专利 :CN208284482U ,2018-12-25
[10]
半导体异质结构二极管 [P]. 
吴毅锋 ;
乌梅什·米什拉 ;
普里米特·帕里克 ;
储荣明 ;
伊兰·本-雅各布 ;
申立坤 .
中国专利 :CN102308390A ,2012-01-04