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半导体结构以及功率二极管
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411440274.2
申请日
:
2024-10-15
公开(公告)号
:
CN119325269A
公开(公告)日
:
2025-01-17
发明(设计)人
:
李理
申请人
:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电器股份有限公司
申请人地址
:
519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)
IPC主分类号
:
H10D62/10
IPC分类号
:
H10D8/00
代理机构
:
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人
:
崔雅茹
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
广东省 珠海市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-02-11
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20241015
2025-01-17
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件、二极管以及半导体结构
[P].
F·拉努瓦
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0
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0
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0
F·拉努瓦
;
A·安考迪诺维
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A·安考迪诺维
;
V·罗多维
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V·罗多维
.
中国专利
:CN206401321U
,2017-08-11
[2]
光电二极管以及半导体结构
[P].
Y·本哈穆
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Y·本哈穆
;
D·格兰斯基
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D·格兰斯基
;
D·里多
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D·里多
.
中国专利
:CN211150577U
,2020-07-31
[3]
半导体二极管以及用于形成半导体二极管的方法
[P].
A.毛德
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A.毛德
;
H-J.舒尔策
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H-J.舒尔策
;
P.森格
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P.森格
.
中国专利
:CN103208529A
,2013-07-17
[4]
半导体二极管
[P].
杨明宗
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杨明宗
;
李东兴
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李东兴
.
中国专利
:CN102842621A
,2012-12-26
[5]
半导体二极管
[P].
H-J·舒尔策
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H-J·舒尔策
;
J·G·拉文
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J·G·拉文
;
R·巴布斯克
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R·巴布斯克
.
中国专利
:CN105006489B
,2015-10-28
[6]
半导体二极管
[P].
叶惠东
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叶惠东
.
中国专利
:CN204966507U
,2016-01-13
[7]
半导体二极管
[P].
W·克勒
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W·克勒
.
中国专利
:CN1283309A
,2001-02-07
[8]
半导体二极管
[P].
陈硕懋
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陈硕懋
.
中国专利
:CN101582457A
,2009-11-18
[9]
软恢复功率半导体二极管
[P].
许海东
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许海东
.
中国专利
:CN208284482U
,2018-12-25
[10]
半导体异质结构二极管
[P].
吴毅锋
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吴毅锋
;
乌梅什·米什拉
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乌梅什·米什拉
;
普里米特·帕里克
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普里米特·帕里克
;
储荣明
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储荣明
;
伊兰·本-雅各布
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伊兰·本-雅各布
;
申立坤
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申立坤
.
中国专利
:CN102308390A
,2012-01-04
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