半导体二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110336807.9

申请日：

2011-10-31

公开(公告)号：

CN102842621A

公开(公告)日：

2012-12-26

发明(设计)人：

杨明宗李东兴

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号

IPC主分类号：

H01L29861

IPC分类号：

H01L2945 H01L2906

代理机构：

北京万慧达知识产权代理有限公司 11111

代理人：

于淼;张一军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-26	公开	公开
2013-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101393724873 IPC(主分类):H01L 29/861 专利申请号:2011103368079 申请日:20111031
2015-09-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101720461310 IPC(主分类):H01L 29/861 专利申请号:2011103368079 申请公布日:20121226

共 50 条

[1]

半导体二极管 [P].

H-J·舒尔策 ;

J·G·拉文 ;

R·巴布斯克 .

中国专利 :CN105006489B ,2015-10-28

[2]

半导体二极管 [P].

叶惠东 .

中国专利 :CN204966507U ,2016-01-13

[3]

半导体二极管 [P].

W·克勒 .

中国专利 :CN1283309A ,2001-02-07

[4]

半导体二极管 [P].

陈硕懋 .

中国专利 :CN101582457A ,2009-11-18

[5]

半导体二极管和用于制造半导体二极管的方法 [P].

托尼·阿尔布雷希特 ;

马库斯·毛特 ;

马丁·罗伊费尔 ;

黑里贝特·齐尔 .

中国专利 :CN102782885A ,2012-11-14

[6]

半导体二极管以及用于形成半导体二极管的方法 [P].

A.毛德 ;

H-J.舒尔策 ;

P.森格 .

中国专利 :CN103208529A ,2013-07-17

[7]

半导体二极管导线架 [P].

蔡上民 .

中国专利 :CN2443491Y ,2001-08-15

[8]

半导体二极管加工设备 [P].

邓江 .

中国专利 :CN223539569U ,2025-11-11

[9]

半导体二极管测试组件 [P].

汪良恩 ;

杨华 ;

汪都 ;

毕华林 .

中国专利 :CN217112588U ,2022-08-02

[10]

新型半导体二极管结构 [P].

王小杰 .

中国专利 :CN204189782U ,2015-03-04

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