半导体二极管和用于制造半导体二极管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180009860.6

申请日：

2011-02-10

公开(公告)号：

CN102782885A

公开(公告)日：

2012-11-14

发明(设计)人：

托尼·阿尔布雷希特马库斯·毛特马丁·罗伊费尔黑里贝特·齐尔

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张春水;高少蔚

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101717244122 IPC(主分类):H01L 33/38 专利申请号:2011800098606 申请公布日:20121114
2012-11-14	公开	公开
2013-01-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101375923761 IPC(主分类):H01L 33/38 专利申请号:2011800098606 申请日:20110210

共 50 条

[1]

半导体二极管 [P].

陈硕懋 .

中国专利 :CN101582457A ,2009-11-18

[2]

半导体激光二极管，用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管装置 [P].

塞巴斯蒂安·特格尔 ;

亚历山大·巴赫曼 .

中国专利 :CN105830291A ,2016-08-03

[3]

半导体激光二极管的制造方法和半导体激光二极管 [P].

佐藤恒辅 ;

岩谷素显 .

日本专利 :CN113497406B ,2024-04-30

[4]

半导体激光二极管的制造方法和半导体激光二极管 [P].

佐藤恒辅 ;

岩谷素显 .

中国专利 :CN113497406A ,2021-10-12

[5]

半导体激光二极管和用于制造半导体激光二极管的方法 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾希勒 ;

阿尔弗雷德·莱尔 ;

穆罕默德·阿里 .

德国专利 :CN113574749B ,2024-07-30

[6]

半导体激光二极管和用于制造半导体激光二极管的方法 [P].

艾尔弗雷德·莱尔 ;

塞巴斯蒂安·特格尔 .

中国专利 :CN110537303A ,2019-12-03

[7]

半导体激光二极管和用于制造半导体激光二极管的方法 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾希勒 ;

阿尔弗雷德·莱尔 ;

穆罕默德·阿里 .

中国专利 :CN113574749A ,2021-10-29

[8]

用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管 [P].

贝恩哈德·施托耶茨 ;

艾尔弗雷德·莱尔 ;

克里斯托夫·艾克勒 .

中国专利 :CN104685734A ,2015-06-03

[9]

半导体二极管 [P].

杨明宗 ;

李东兴 .

中国专利 :CN102842621A ,2012-12-26

[10]

半导体二极管 [P].

H-J·舒尔策 ;

J·G·拉文 ;

R·巴布斯克 .

中国专利 :CN105006489B ,2015-10-28

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