光电二极管以及半导体结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201922278366.6

申请日：

2019-12-18

公开(公告)号：

CN211150577U

公开(公告)日：

2020-07-31

发明(设计)人：

Y·本哈穆 D·格兰斯基 D·里多

申请人：

申请人地址：

法国克洛尔

IPC主分类号：

H01L31107

IPC分类号：

H01L310352 H01L3118

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

董莘

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-31	授权	授权

共 50 条

[1]

光电二极管以及光电二极管阵列 [P].

山村和久 ;

坂本明 ;

永野辉昌 ;

石川嘉隆 ;

河合哲 .

中国专利 :CN102334198A ,2012-01-25

[2]

光电二极管以及光电二极管阵列 [P].

山村和久 ;

坂本明 ;

永野辉昌 ;

石川嘉隆 ;

河合哲 .

中国专利 :CN103606588A ,2014-02-26

[3]

光电二极管以及光电二极管阵列 [P].

山村和久 ;

坂本明 ;

永野辉昌 ;

石川嘉隆 ;

河合哲 .

中国专利 :CN104201219A ,2014-12-10

[4]

光电二极管以及光电二极管阵列 [P].

山村和久 ;

坂本明 ;

永野辉昌 ;

石川嘉隆 ;

河合哲 .

中国专利 :CN102334199B ,2012-01-25

[5]

光电二极管结构 [P].

林骏杰 .

中国专利 :CN118263353A ,2024-06-28

[6]

光电二极管结构 [P].

林钦茂 ;

张钧杰 ;

吴声桢 .

中国专利 :CN204809232U ,2015-11-25

[7]

光电二极管以及具有该光电二极管的光电IC [P].

三浦规之 .

中国专利 :CN101183693A ,2008-05-21

[8]

光电二极管、光电二极管阵列、以及固体摄像元件 [P].

坂田祐辅 ;

薄田学 ;

森三佳 ;

广濑裕 ;

加藤刚久 .

中国专利 :CN106537614B ,2017-03-22

[9]

光电二极管和/或PIN二极管结构 [P].

M·D·莱维 ;

S·P·埃杜苏米利 ;

V·贾因 ;

J·J·埃利斯-莫纳甘 .

中国专利 :CN113809198A ,2021-12-17

[10]

光电二极管和/或PIN二极管结构 [P].

M·D·莱维 ;

S·P·埃杜苏米利 ;

V·贾因 ;

J·J·埃利斯-莫纳甘 .

美国专利 :CN113809198B ,2025-04-18

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