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光电二极管和/或PIN二极管结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110591949.3
申请日：
2021-05-28
公开(公告)号：
CN113809198A
公开(公告)日：
2021-12-17
发明(设计)人：
M·D·莱维 S·P·埃杜苏米利 V·贾因 J·J·埃利斯-莫纳甘
申请人：
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
H01L31105
IPC分类号：
H01L31107 H01L3118
代理机构：
北京市中咨律师事务所 11247
代理人：
贺月娇;牛南辉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-01-04 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/105 申请日:20210528
2021-12-17 公开 公开
共 50 条
[1]
光电二极管和/或PIN二极管结构 [P]. 
M·D·莱维 ;
S·P·埃杜苏米利 ;
V·贾因 ;
J·J·埃利斯-莫纳甘 .
美国专利 :CN113809198B ,2025-04-18
[2]
光电二极管和/或PIN二极管结构 [P]. 
M·D·莱维 ;
E·W·基瓦拉 ;
S·P·埃杜苏米利 ;
J·J·埃利斯-莫纳甘 .
中国专利 :CN113972297A ,2022-01-25
[3]
光电二极管和/或PIN二极管结构 [P]. 
S·P·埃杜苏米利 ;
J·J·埃利斯-莫纳甘 ;
M·D·莱维 ;
V·贾因 ;
A·斯特姆 .
美国专利 :CN113745364B ,2024-06-18
[4]
光电二极管和/或PIN二极管结构 [P]. 
S·P·埃杜苏米利 ;
J·J·埃利斯-莫纳甘 ;
M·D·莱维 ;
V·贾因 ;
A·斯特姆 .
中国专利 :CN113745364A ,2021-12-03
[5]
光电二极管和/或PIN二极管结构 [P]. 
M·D·莱维 ;
E·W·基瓦拉 ;
S·P·埃杜苏米利 ;
J·J·埃利斯-莫纳甘 .
美国专利 :CN113972297B ,2024-12-20
[6]
雪崩光电二极管 [P]. 
M·D·莱维 ;
S·P·埃杜苏米利 ;
J·J·埃利斯-莫纳甘 ;
V·贾因 ;
R·哈兹布恩 ;
P·东莫 ;
C·E·路斯 ;
S·M·尚克 ;
R·克里希纳萨米 .
中国专利 :CN113540266A ,2021-10-22
[7]
雪崩光电二极管 [P]. 
M·D·莱维 ;
S·P·埃杜苏米利 ;
J·J·埃利斯-莫纳甘 ;
V·贾因 ;
R·哈兹布恩 ;
P·东莫 ;
C·E·路斯 ;
S·M·尚克 ;
R·克里希纳萨米 .
美国专利 :CN113540266B ,2025-05-27
[8]
光电二极管结构 [P]. 
林骏杰 .
中国专利 :CN118263353A ,2024-06-28
[9]
光电二极管以及光电二极管阵列 [P]. 
山村和久 ;
坂本明 ;
永野辉昌 ;
石川嘉隆 ;
河合哲 .
中国专利 :CN102334198A ,2012-01-25
[10]
光电二极管以及光电二极管阵列 [P]. 
山村和久 ;
坂本明 ;
永野辉昌 ;
石川嘉隆 ;
河合哲 .
中国专利 :CN103606588A ,2014-02-26
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