软恢复功率半导体二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821019881.1

申请日：

2018-06-29

公开(公告)号：

CN208284482U

公开(公告)日：

2018-12-25

发明(设计)人：

许海东

申请人：

申请人地址：

100086 北京市海淀区知春路豪景大厦B座2002室

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29861 H01L21329

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王涛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-25	授权	授权
2019-01-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20181219 变更事项:专利权人变更前权利人:北京世港晟华科技有限公司变更后权利人:南京晟芯半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:100086 北京市海淀区知春路豪景大厦B座2002室变更后权利人:211106 江苏省南京市江宁经济技术开发区高湖路105号

共 50 条

[1]

软恢复功率半导体二极管及其制备方法 [P].

许海东 .

中国专利 :CN108598153A ,2018-09-28

[2]

半导体二极管 [P].

叶惠东 .

中国专利 :CN204966507U ,2016-01-13

[3]

半导体二极管 [P].

陈硕懋 .

中国专利 :CN101582457A ,2009-11-18

[4]

软恢复功率二极管和相关方法 [P].

佩文·穆拉利赫拉恩·舍诺 .

中国专利 :CN1441968A ,2003-09-10

[5]

一种快恢复半导体二极管 [P].

许霞林 .

中国专利 :CN205016509U ,2016-02-03

[6]

半导体激光二极管 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾希勒 ;

克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 .

中国专利 :CN109390844A ,2019-02-26

[7]

半导体激光二极管 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

艾尔弗雷德·莱尔 ;

贝恩哈德·施托耶茨 .

德国专利 :CN113851932B ,2024-10-18

[8]

半导体雷射二极管 [P].

黄朝兴 ;

金宇中 ;

戴文长 ;

何肇杭 ;

萧鸿齐 .

中国专利 :CN113659439B ,2024-10-18

[9]

半导体雷射二极管 [P].

黄朝兴 ;

金宇中 ;

戴文长 ;

何肇杭 ;

萧鸿齐 .

中国专利 :CN113659439A ,2021-11-16

[10]

半导体激光二极管 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

艾尔弗雷德·莱尔 ;

贝恩哈德·施托耶茨 .

中国专利 :CN110140264B ,2019-08-16

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