半导体雷射二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110900057.7

申请日：

2020-06-11

公开(公告)号：

CN113659439A

公开(公告)日：

2021-11-16

发明(设计)人：

黄朝兴金宇中戴文长何肇杭萧鸿齐

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园市

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01S534 H01S5183

代理机构：

北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264

代理人：

刘俊;高珊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/343 申请日:20200611
2021-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体雷射二极管 [P].

黄朝兴 ;

金宇中 ;

戴文长 ;

何肇杭 ;

萧鸿齐 .

中国专利 :CN112072467A ,2020-12-11

[2]

半导体雷射二极管 [P].

黄朝兴 ;

金宇中 ;

戴文长 ;

何肇杭 ;

萧鸿齐 .

中国专利 :CN113659439B ,2024-10-18

[3]

半导体二极管 [P].

陈硕懋 .

中国专利 :CN101582457A ,2009-11-18

[4]

半导体激光二极管 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾希勒 ;

克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 .

中国专利 :CN109390844A ,2019-02-26

[5]

半导体激光二极管 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

艾尔弗雷德·莱尔 ;

贝恩哈德·施托耶茨 .

德国专利 :CN113851932B ,2024-10-18

[6]

半导体激光二极管 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

艾尔弗雷德·莱尔 ;

贝恩哈德·施托耶茨 .

中国专利 :CN110140264B ,2019-08-16

[7]

半导体激光二极管 [P].

B.施托耶茨 ;

A.莱尔 ;

C.艾希勒 .

中国专利 :CN103701036B ,2014-04-02

[8]

半导体激光二极管 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

艾尔弗雷德·莱尔 ;

贝恩哈德·施托耶茨 .

中国专利 :CN113851932A ,2021-12-28

[9]

半导体激光二极管 [P].

克里斯蒂安·劳尔 ;

哈拉尔德·柯尼希 ;

乌韦·施特劳斯 ;

亚历山大·巴赫曼 .

中国专利 :CN103975490A ,2014-08-06

[10]

半导体激光二极管 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

艾尔弗雷德·莱尔 ;

贝恩哈德·施托耶茨 .

中国专利 :CN109478766A ,2019-03-15

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