软恢复功率半导体二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810696368.4

申请日：

2018-06-29

公开(公告)号：

CN108598153A

公开(公告)日：

2018-09-28

发明(设计)人：

许海东

申请人：

申请人地址：

100086 北京市海淀区知春路豪景大厦B座2002室

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29861 H01L21329

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-28	公开	公开
2018-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20180629
2019-01-08	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20181219 变更事项:申请人变更前权利人:北京世港晟华科技有限公司变更后权利人:南京晟芯半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:100086 北京市海淀区知春路豪景大厦B座2002室变更后权利人:211106 江苏省南京市江宁经济技术开发区高湖路105号

共 50 条

[1]

软恢复功率半导体二极管 [P].

许海东 .

中国专利 :CN208284482U ,2018-12-25

[2]

肖特基二极管及其制备方法、半导体功率器件 [P].

冉军学 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN110071177A ,2019-07-30

[3]

肖特基二极管及其形成方法、半导体器件 [P].

陈达 .

中国专利 :CN107910380A ,2018-04-13

[4]

半导体二极管及其方法 [P].

约翰·D·莫兰 ;

布兰卡·E·克鲁索 ;

约瑟·R·莫雷诺 .

中国专利 :CN1822332A ,2006-08-23

[5]

快恢复二极管及其制备方法 [P].

曹群 ;

郭小青 .

中国专利 :CN114649419A ,2022-06-21

[6]

快恢复二极管及其制备方法 [P].

曹群 ;

郭小青 .

中国专利 :CN114649420A ,2022-06-21

[7]

快恢复二极管及其制备方法 [P].

和峰 ;

刘钺杨 ;

金锐 ;

温家良 ;

连建红 ;

刘江 ;

董少华 ;

冷国庆 ;

吴军民 ;

潘艳 .

中国专利 :CN109216472A ,2019-01-15

[8]

功率二极管及其制备方法 [P].

金锐 ;

和峰 ;

刘江 ;

李翠 .

中国专利 :CN117747673A ,2024-03-22

[9]

功率二极管及其制备方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

李鹏 ;

王江波 .

中国专利 :CN114975639B ,2025-07-11

[10]

功率二极管及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109411548A ,2019-03-01

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