半导体薄膜的纳区横向外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910025383.7

申请日：

2009-03-13

公开(公告)号：

CN101510504B

公开(公告)日：

2009-08-19

发明(设计)人：

王怀兵黄小辉杨辉张书明

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

B82B300 C23C1644

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

陶海锋

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20090313 授权公告日:20100908 终止日期:20180313
2009-08-19	公开	公开
2010-09-08	授权	授权
2009-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-05-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101343927563 IPC(主分类):H01L 21/205 专利号:ZL2009100253837 变更事项:专利权人变更前权利人:苏州纳晶光电有限公司变更后权利人:苏州新纳晶光电有限公司变更事项:地址变更前权利人:215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号变更后权利人:215021 江苏省苏州市苏州工业园区苏虹东路388号登记生效日:20120323

共 50 条

[1]

一种外延层的横向外延生长方法 [P].

温瑞涛 ;

张亦文 ;

朱莹 ;

李博文 .

中国专利 :CN117385454A ,2024-01-12

[2]

氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 [P].

冯淦 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN1209793C ,2004-04-21

[3]

一种具有孔洞的外延层的横向外延生长方法及外延结构 [P].

温瑞涛 ;

张亦文 .

中国专利 :CN117646274A ,2024-03-05

[4]

包括通过横向外延生长形成的半导体层的结构 [P].

朱德尚·R·侯尔特 ;

M·高希绮 ;

K·J·吉旺特 ;

M·莫尼什 ;

M·乔纳森 ;

P·巴尔斯 .

美国专利 :CN120376405A ,2025-07-25

[5]

外延生长基板与半导体装置、外延生长方法 [P].

生田哲也 ;

日野大辅 ;

柴田智彦 .

中国专利 :CN102959682A ,2013-03-06

[6]

横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法 [P].

张荣 ;

修向前 ;

顾书林 ;

卢佃清 ;

毕朝霞 ;

沈波 ;

江若琏 ;

施毅 ;

朱顺明 ;

韩平 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1174470C ,2003-01-08

[7]

半导体外延结构和半导体外延生长方法 [P].

张海林 ;

陈龙 ;

刘庆波 ;

黎子兰 .

中国专利 :CN120187055A ,2025-06-20

[8]

外延基座、外延设备以及半导体器件外延生长方法 [P].

王华杰 ;

曹共柏 ;

王佳 ;

郑华浩 ;

林明献 ;

李炜 .

中国专利 :CN118448334A ,2024-08-06

[9]

半导体外延生长的前驱体封装容器及半导体外延生长方法 [P].

闫其昂 ;

王国斌 ;

周溯沅 .

中国专利 :CN114892266A ,2022-08-12

[10]

硅外延生长方法及半导体结构 [P].

宋洋 ;

马雁飞 ;

叶康 .

中国专利 :CN110544620A ,2019-12-06

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