一种外延层的横向外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311157719.1

申请日：

2023-09-07

公开(公告)号：

CN117385454A

公开(公告)日：

2024-01-12

发明(设计)人：

温瑞涛张亦文朱莹李博文

申请人：

南方科技大学

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号

IPC主分类号：

C30B25/16

IPC分类号：

C30B25/04 C30B29/08

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

范兵

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/16申请日:20230907
2024-01-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有孔洞的外延层的横向外延生长方法及外延结构 [P].

温瑞涛 ;

张亦文 .

中国专利 :CN117646274A ,2024-03-05

[2]

半导体薄膜的纳区横向外延生长方法 [P].

王怀兵 ;

黄小辉 ;

杨辉 ;

张书明 .

中国专利 :CN101510504B ,2009-08-19

[3]

一种提高LED亮度的双缓冲层横向外延生长方法 [P].

张璐 ;

商毅博 ;

于春丽 ;

邹丹 ;

李渝 .

中国专利 :CN104900774A ,2015-09-09

[4]

Si衬底上横向外延生长氮化镓的方法 [P].

王质武 .

中国专利 :CN101471245A ,2009-07-01

[5]

硅衬底上横向外延生长氮化镓的方法 [P].

王质武 .

中国专利 :CN101469446A ,2009-07-01

[6]

氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 [P].

冯淦 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN1209793C ,2004-04-21

[7]

外延生长方法及外延膜 [P].

屈鹏霏 ;

金鹏 ;

王镇 ;

韩煦 ;

王占国 .

中国专利 :CN117373904A ,2024-01-09

[8]

包括通过横向外延生长形成的半导体层的结构 [P].

朱德尚·R·侯尔特 ;

M·高希绮 ;

K·J·吉旺特 ;

M·莫尼什 ;

M·乔纳森 ;

P·巴尔斯 .

美国专利 :CN120376405A ,2025-07-25

[9]

外延膜层的生长方法及外延膜层的生长装置 [P].

张磊 ;

董信国 ;

储郁冬 ;

贾超超 .

中国专利 :CN118685855A ,2024-09-24

[10]

外延生长方法及外延生长装置、外延设备 [P].

梁鹏欢 .

中国专利 :CN118814269A ,2024-10-22

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