Si衬底上横向外延生长氮化镓的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710186133.2

申请日：

2007-12-27

公开(公告)号：

CN101471245A

公开(公告)日：

2009-07-01

发明(设计)人：

王质武

申请人：

申请人地址：

518055广东省深圳市南山区西丽镇龙井方大工业城

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

深圳市顺天达专利商标代理有限公司

代理人：

郭伟刚;张秋红

法律状态：

专利权的视为放弃

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-10	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101431717660 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2007101861332 放弃生效日:20090701
2009-07-01	公开	公开
2011-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101038488243 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2007101861332 申请日:20071227
2011-12-21	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101239910128 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2007101861332 变更事项:申请人变更前权利人:深圳市方大国科光电技术有限公司变更后权利人:沈阳方大半导体照明有限公司变更事项:地址变更前权利人:518055 广东省深圳市南山区西丽镇龙井方大工业城变更后权利人:110168 辽宁省沈阳市浑南新区文德西街6号登记生效日:20111109

共 50 条

[1]

硅衬底上横向外延生长氮化镓的方法 [P].

王质武 .

中国专利 :CN101469446A ,2009-07-01

[2]

横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法 [P].

张荣 ;

修向前 ;

顾书林 ;

卢佃清 ;

毕朝霞 ;

沈波 ;

江若琏 ;

施毅 ;

朱顺明 ;

韩平 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1174470C ,2003-01-08

[3]

氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 [P].

冯淦 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN1209793C ,2004-04-21

[4]

无掩膜横向外延生长高质量氮化镓 [P].

修向前 ;

张荣 ;

陈琳 ;

谢自力 ;

顾书林 ;

施毅 ;

韩平 ;

沈波 ;

江若琏 ;

朱顺明 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1300387C ,2005-06-29

[5]

用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN213459739U ,2021-06-15

[6]

在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 [P].

梁萌 ;

李鸿渐 ;

姚然 ;

李志聪 ;

李盼盼 ;

王兵 ;

李璟 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102534769B ,2012-07-04

[7]

采用硅图形衬底生长氮化镓外延方法 [P].

梁辉南 .

中国专利 :CN107910244B ,2018-04-13

[8]

硅衬底上氮化镓生长方法 [P].

陈祈铭 ;

刘柏均 ;

林宏达 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103137446A ,2013-06-05

[9]

一种侧向外延生长氮化镓层的方法及氮化镓结构 [P].

曹冰 ;

夏天 ;

刘淼 .

中国专利 :CN119230391A ,2024-12-31

[10]

一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

李百泉 ;

肖红领 .

中国专利 :CN110752146A ,2020-02-04

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