一种基于碳化硅的漂移阶跃恢复二极管的制备方法及产品

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811178983.2

申请日：

2018-10-10

公开(公告)号：

CN109473354A

公开(公告)日：

2019-03-15

发明(设计)人：

梁琳王子越

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

H01L29861 H01L2906

代理机构：

武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224

代理人：

赵伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-15	公开	公开
2022-04-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/329 申请公布日:20190315
2019-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/329 申请日:20181010

共 50 条

[1]

一种碳化硅漂移阶跃恢复二极管 [P].

陈万军 ;

高吴昊 ;

谯彬 ;

左慧玲 ;

邓操 ;

夏云 ;

刘超 .

中国专利 :CN109087954A ,2018-12-25

[2]

一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管 [P].

张景文 ;

刘静楠 ;

时明月 ;

王燕 ;

张恒清 ;

侯洵 .

中国专利 :CN113380875A ,2021-09-10

[3]

一种皮秒碳化硅漂移阶跃恢复二极管 [P].

张景文 ;

刘静楠 ;

时明月 ;

王燕 ;

张恒清 ;

侯洵 .

中国专利 :CN113380874B ,2024-03-29

[4]

一种皮秒碳化硅漂移阶跃恢复二极管 [P].

张景文 ;

刘静楠 ;

时明月 ;

王燕 ;

张恒清 ;

侯洵 .

中国专利 :CN113380874A ,2021-09-10

[5]

一种漂移阶跃恢复二极管的制备方法及其产品 [P].

梁琳 ;

王子越 .

中国专利 :CN106960788B ,2017-07-18

[6]

一种漂移阶跃恢复二极管 [P].

陈万军 ;

高吴昊 ;

邓操 ;

谯彬 ;

左慧玲 ;

夏云 ;

刘超 .

中国专利 :CN109065636A ,2018-12-21

[7]

漂移阶跃恢复二极管及其制备方法 [P].

刘忠山 ;

杨勇 ;

崔占东 .

中国专利 :CN101777587A ,2010-07-14

[8]

一种碳化硅二极管的制备方法及碳化硅二极管 [P].

何钧 ;

郑柳 .

中国专利 :CN109509706A ,2019-03-22

[9]

一种基于漂移阶跃恢复二极管的重频纳秒脉冲产生电路 [P].

谢彦召 ;

赖雨辰 ;

王海洋 .

中国专利 :CN111431509B ,2020-07-17

[10]

一种碳化硅二极管及碳化硅二极管的制备方法 [P].

彭华溢 ;

谢梓翔 ;

廖勇波 ;

李春艳 ;

马颖江 .

中国专利 :CN119486220A ,2025-02-18

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