一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110580713.X

申请日：

2021-05-26

公开(公告)号：

CN113380875A

公开(公告)日：

2021-09-10

发明(设计)人：

张景文刘静楠时明月王燕张恒清侯洵

申请人：

申请人地址：

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2916 H01L29861

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

朱海临

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210526
2021-09-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种皮秒碳化硅漂移阶跃恢复二极管 [P].

张景文 ;

刘静楠 ;

时明月 ;

王燕 ;

张恒清 ;

侯洵 .

中国专利 :CN113380874B ,2024-03-29

[2]

一种碳化硅漂移阶跃恢复二极管 [P].

陈万军 ;

高吴昊 ;

谯彬 ;

左慧玲 ;

邓操 ;

夏云 ;

刘超 .

中国专利 :CN109087954A ,2018-12-25

[3]

一种皮秒碳化硅漂移阶跃恢复二极管 [P].

张景文 ;

刘静楠 ;

时明月 ;

王燕 ;

张恒清 ;

侯洵 .

中国专利 :CN113380874A ,2021-09-10

[4]

一种漂移阶跃恢复二极管 [P].

陈万军 ;

高吴昊 ;

邓操 ;

谯彬 ;

左慧玲 ;

夏云 ;

刘超 .

中国专利 :CN109065636A ,2018-12-21

[5]

漂移阶跃恢复二极管及其制备方法 [P].

刘忠山 ;

杨勇 ;

崔占东 .

中国专利 :CN101777587A ,2010-07-14

[6]

一种基于碳化硅的漂移阶跃恢复二极管的制备方法及产品 [P].

梁琳 ;

王子越 .

中国专利 :CN109473354A ,2019-03-15

[7]

一种漂移阶跃恢复二极管的制备方法及其产品 [P].

梁琳 ;

王子越 .

中国专利 :CN106960788B ,2017-07-18

[8]

碳化硅肖特基二极管 [P].

刘圣前 ;

杨程 ;

王毅 .

中国专利 :CN217214727U ,2022-08-16

[9]

一种碳化硅二极管的制备方法及碳化硅二极管 [P].

何钧 ;

郑柳 .

中国专利 :CN109509706A ,2019-03-22

[10]

一种碳化硅二极管 [P].

郑柳 ;

何钧 .

中国专利 :CN210926028U ,2020-07-03

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