一种氮化镓HEMT低欧姆接触电阻结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811384276.9

申请日：

2018-11-20

公开(公告)号：

CN109659358A

公开(公告)日：

2019-04-19

发明(设计)人：

陈兴王东吴勇张进成何滇伍旭东檀生辉卫祥张金生郝跃

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号

IPC主分类号：

H01L2945

IPC分类号：

H01L29778 H01L21335

代理机构：

芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138

代理人：

房文亮

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/45 申请公布日:20190419
2019-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/45 申请日:20181120
2019-04-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于氮化镓功率HEMT结构低欧姆接触电阻的结构及其制作方法 [P].

陈兴 ;

王东 ;

吴勇 ;

张进成 ;

何滇 ;

伍旭东 ;

檀生辉 ;

卫祥 ;

张金生 ;

郝跃 .

中国专利 :CN109659362A ,2019-04-19

[2]

一种基于Si衬底氮化镓HEMT低电阻欧姆接触的结构及其制作方法 [P].

王东 ;

陈兴 ;

吴勇 ;

张进成 ;

何滇 ;

伍旭东 ;

檀生辉 ;

卫祥 ;

张金生 ;

郝跃 .

中国专利 :CN109638071A ,2019-04-16

[3]

一种氮化镓HEMT结构低欧姆接触结构的制备方法 [P].

王东 ;

陈兴 ;

吴勇 ;

张进成 ;

何滇 ;

伍旭东 ;

檀生辉 ;

卫祥 ;

张金生 ;

郝跃 .

中国专利 :CN109659363A ,2019-04-19

[4]

具有低欧姆接触电阻的氮化镓器件 [P].

K·塔巴塔比 ;

W·E·霍克 ;

E·M·詹贝斯 ;

K·麦卡锡 .

中国专利 :CN104471713A ,2015-03-25

[5]

一种基于氮化镓增强型HEMT器件低电阻欧姆接触的结构及其制作方法 [P].

陈兴 ;

王东 ;

吴勇 ;

张进成 ;

何滇 ;

伍旭东 ;

檀生辉 ;

卫祥 ;

张金生 ;

郝跃 .

中国专利 :CN109585544A ,2019-04-05

[6]

一种低欧姆接触电阻的半导体器件及其制作方法 [P].

裴轶 ;

刘沙沙 .

中国专利 :CN104051523A ,2014-09-17

[7]

HEMT器件的欧姆接触电极制作方法 [P].

王冲 ;

陈冲 ;

钟仁骏 ;

何云龙 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103928311A ,2014-07-16

[8]

HEMT器件及降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法 [P].

孙英斐 ;

张宇翔 ;

于国浩 ;

赵德胜 ;

曾中明 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN118263124A ,2024-06-28

[9]

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

王元刚 ;

徐鹏 ;

尹甲运 ;

敦少博 .

中国专利 :CN103928323A ,2014-07-16

[10]

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

尹甲运 ;

敦少博 .

中国专利 :CN103903982A ,2014-07-02

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