一种基于Si衬底氮化镓HEMT低电阻欧姆接触的结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811384310.2

申请日：

2018-11-20

公开(公告)号：

CN109638071A

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

王东陈兴吴勇张进成何滇伍旭东檀生辉卫祥张金生郝跃

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号

IPC主分类号：

H01L2945

IPC分类号：

H01L29778 H01L21335

代理机构：

芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138

代理人：

房文亮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-16	公开	公开
2022-06-24	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/45 申请公布日:20190416
2019-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/45 申请日:20181120

共 50 条

[1]

一种基于氮化镓功率HEMT结构低欧姆接触电阻的结构及其制作方法 [P].

陈兴 ;

王东 ;

吴勇 ;

张进成 ;

何滇 ;

伍旭东 ;

檀生辉 ;

卫祥 ;

张金生 ;

郝跃 .

中国专利 :CN109659362A ,2019-04-19

[2]

一种氮化镓HEMT低欧姆接触电阻结构及其制作方法 [P].

陈兴 ;

王东 ;

吴勇 ;

张进成 ;

何滇 ;

伍旭东 ;

檀生辉 ;

卫祥 ;

张金生 ;

郝跃 .

中国专利 :CN109659358A ,2019-04-19

[3]

一种氮化镓HEMT结构低欧姆接触结构的制备方法 [P].

王东 ;

陈兴 ;

吴勇 ;

张进成 ;

何滇 ;

伍旭东 ;

檀生辉 ;

卫祥 ;

张金生 ;

郝跃 .

中国专利 :CN109659363A ,2019-04-19

[4]

一种基于氮化镓增强型HEMT器件低电阻欧姆接触的结构及其制作方法 [P].

陈兴 ;

王东 ;

吴勇 ;

张进成 ;

何滇 ;

伍旭东 ;

檀生辉 ;

卫祥 ;

张金生 ;

郝跃 .

中国专利 :CN109585544A ,2019-04-05

[5]

一种氮化镓HEMT器件结构及其制备方法 [P].

王东 ;

吴勇 ;

陈兴 ;

汪琼 ;

陆俊 ;

何滇 ;

严伟伟 ;

曾文秀 ;

张进成 .

中国专利 :CN110867488A ,2020-03-06

[6]

具有低欧姆接触电阻的氮化镓器件 [P].

K·塔巴塔比 ;

W·E·霍克 ;

E·M·詹贝斯 ;

K·麦卡锡 .

中国专利 :CN104471713A ,2015-03-25

[7]

一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法 [P].

刘志宏 ;

赵雪利 ;

许淑宁 ;

何佳琦 ;

邢伟川 ;

侯松岩 ;

张苇杭 ;

周瑾 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN115312378A ,2022-11-08

[8]

一种氮化镓HEMT器件结构及制作方法 [P].

王锋 ;

胡坤怀 ;

张秀敏 ;

郑宝玉 ;

杜高云 ;

李宏磊 ;

黄慧诗 ;

谢政璋 .

中国专利 :CN119342861A ,2025-01-21

[9]

一种氮化镓功率器件结构及其制备方法 [P].

陈兴 ;

王东 ;

吴勇 ;

汪琼 ;

陆俊 ;

何滇 ;

严伟伟 ;

曾文秀 ;

张进成 .

中国专利 :CN110854193A ,2020-02-28

[10]

一种低欧姆接触电阻的半导体器件及其制作方法 [P].

裴轶 ;

刘沙沙 .

中国专利 :CN104051523A ,2014-09-17

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