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多组元金属氧化物薄膜的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN90105788.6
申请日
:
1990-03-22
公开(公告)号
:
CN1046356A
公开(公告)日
:
1990-10-24
发明(设计)人
:
肖定全
肖志力
朱居木
郭华聪
谢必正
申请人
:
申请人地址
:
610064四川省成都市九眼桥
IPC主分类号
:
C23C1436
IPC分类号
:
C23C1408
代理机构
:
四川大学专利事务所
代理人
:
侯绍桂
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
1990-10-24
公开
公开
1996-05-08
专利权的终止未缴年费专利权终止
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-04-06
授权
授权
1991-01-23
实质审查请求已生效的专利申请
实质审查请求已生效的专利申请
共 50 条
[1]
金属氧化物薄膜的制备方法
[P].
李言荣
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李言荣
;
陶伯万
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陶伯万
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陈寅
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陈寅
;
刘兴钊
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刘兴钊
;
朱俊
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朱俊
;
吴传贵
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吴传贵
;
吴健
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吴健
.
中国专利
:CN100469940C
,2006-03-01
[2]
金属氧化物薄膜的制备方法
[P].
彭钊
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彭钊
.
中国专利
:CN111088484A
,2020-05-01
[3]
金属氧化物薄膜,沉积金属氧化物薄膜的方法及包含金属氧化物薄膜的装置
[P].
一杉太郎
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一杉太郎
.
中国专利
:CN107074662B
,2017-08-18
[4]
一种双金属氧化物薄膜制备方法及双金属氧化物薄膜
[P].
明帅强
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北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
明帅强
;
戴昕童
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北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
戴昕童
;
夏洋
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北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
夏洋
;
屈芙蓉
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北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
屈芙蓉
;
何萌
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北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
何萌
;
赵丽莉
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北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
赵丽莉
;
吴非
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北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
吴非
;
夏天
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机构:
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
夏天
.
中国专利
:CN120924941A
,2025-11-11
[5]
一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜
[P].
杨振怀
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杨振怀
;
郭远军
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郭远军
;
卫红
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卫红
;
胡琅
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胡琅
;
胡强
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胡强
;
肖永能
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肖永能
;
刘宏
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刘宏
;
郭可升
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郭可升
.
中国专利
:CN114561617A
,2022-05-31
[6]
金属或金属氧化物纳米颗粒的薄膜制备方法
[P].
李效民
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李效民
;
吴永庆
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吴永庆
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于伟东
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于伟东
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徐军
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徐军
;
夏长泰
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夏长泰
.
中国专利
:CN101429644B
,2009-05-13
[7]
金属氧化物浆料、孔径可控的金属氧化物薄膜及其制备方法和应用
[P].
杨松旺
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杨松旺
;
邵君
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邵君
;
刘岩
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刘岩
.
中国专利
:CN108806829A
,2018-11-13
[8]
二维金属氧化物薄膜的制备方法
[P].
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机构:
崔义
;
李明珠
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
李明珠
;
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机构:
魏伟
;
张俊楠
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
张俊楠
.
中国专利
:CN120854261A
,2025-10-28
[9]
一种金属氧化物薄膜的制备方法
[P].
单福凯
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单福凯
;
孟优
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孟优
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郭子栋
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郭子栋
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刘奥
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刘奥
;
刘国侠
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刘国侠
.
中国专利
:CN106910688A
,2017-06-30
[10]
金属氧化物薄膜的沉积方法及其制备装置
[P].
徐祥准
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徐祥准
;
刘址范
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刘址范
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郑昊均
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郑昊均
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赵成珉
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赵成珉
.
中国专利
:CN105821395B
,2016-08-03
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