一种离子注入式氮掺杂氮化碳薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711415268.1

申请日：

2017-12-25

公开(公告)号：

CN108103438A

公开(公告)日：

2018-06-01

发明(设计)人：

沈洪雪姚婷婷杨勇李刚

申请人：

申请人地址：

233010 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号

IPC主分类号：

C23C1406

IPC分类号：

C23C1435 C23C1448

代理机构：

安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113

代理人：

陈俊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-01	公开	公开
2018-06-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/06 申请日:20171225
2019-08-30	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C23C 14/06 申请公布日:20180601

共 50 条

[1]

一种离子注入掺杂IGZO薄膜的制备方法 [P].

王志强 ;

曾墩风 ;

鄢波 ;

曾探 .

中国专利 :CN120555963A ,2025-08-29

[2]

一种碳自掺杂氮化碳光电薄膜的制备方法 [P].

沈洪雪 ;

李刚 ;

金克武 ;

王天齐 .

中国专利 :CN110983273A ,2020-04-10

[3]

一种离子注入制备氮掺杂石墨烯的方法 [P].

赵子强 ;

赵云彪 ;

付恩刚 ;

王绪 ;

韩冬 .

中国专利 :CN108364856A ,2018-08-03

[4]

一种制备氮化碳薄膜的方法 [P].

汪建新 ;

闫浩然 ;

姜崇喜 ;

杨国强 ;

陈太军 ;

陈迪 .

中国专利 :CN105331949B ,2016-02-17

[5]

纳米多晶氮化碳薄膜的制备方法 [P].

刘维民 ;

郝俊英 .

中国专利 :CN101205608A ,2008-06-25

[6]

磷掺杂石墨相氮化碳纳米薄膜的制备方法 [P].

卢小泉 ;

权晶晶 ;

秦冬冬 ;

李洋 ;

段世芳 ;

耿园园 ;

贺彩花 ;

王秋红 .

中国专利 :CN107043222B ,2017-08-15

[7]

碳掺杂氮化碳薄膜电极的制备方法 [P].

周成赟 ;

曾光明 ;

黄丹莲 ;

赖萃 ;

张辰 ;

程敏 ;

胡亮 ;

熊炜平 ;

秦蕾 ;

文晓凤 ;

温铭 .

中国专利 :CN107570190A ,2018-01-12

[8]

一种半导体氮化碳薄膜的制备方法 [P].

吕瑞涛 ;

甘鑫 ;

王旭阳 ;

黄正宏 ;

康飞宇 .

中国专利 :CN105925954B ,2016-09-07

[9]

一种氮掺杂、硼掺杂或磷掺杂的石墨化氮化碳材料的制备方法 [P].

尹苗苗 ;

杨成 ;

徐延铭 .

中国专利 :CN111740076A ,2020-10-02

[10]

一种离子注入机的离子注入方法 [P].

曹华翔 ;

彭立波 ;

许波涛 ;

易镓 ;

罗南安 ;

熊国庆 .

中国专利 :CN116246925B ,2025-06-24

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