一种碳自掺杂氮化碳光电薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911352682.1

申请日：

2019-12-25

公开(公告)号：

CN110983273A

公开(公告)日：

2020-04-10

发明(设计)人：

沈洪雪李刚金克武王天齐

申请人：

申请人地址：

233010 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1406

代理机构：

安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113

代理人：

陈俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20191225
2021-11-12	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C23C 14/35 申请公布日:20200410
2020-04-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳自掺杂氮化碳纳米薄膜电极的简单制备方法 [P].

顾泉 ;

刘建妮 ;

贾巧慧 ;

高子伟 ;

张伟强 .

中国专利 :CN106848494B ,2017-06-13

[2]

碳掺杂氮化碳薄膜电极的制备方法 [P].

周成赟 ;

曾光明 ;

黄丹莲 ;

赖萃 ;

张辰 ;

程敏 ;

胡亮 ;

熊炜平 ;

秦蕾 ;

文晓凤 ;

温铭 .

中国专利 :CN107570190A ,2018-01-12

[3]

高光电导增益氮化碳薄膜制备方法 [P].

周之斌 ;

崔容强 ;

蔡燕晖 ;

刘梅苍 .

中国专利 :CN1265018C ,2003-09-24

[4]

纳米多晶氮化碳薄膜的制备方法 [P].

刘维民 ;

郝俊英 .

中国专利 :CN101205608A ,2008-06-25

[5]

一种离子注入式氮掺杂氮化碳薄膜的制备方法 [P].

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108103438A ,2018-06-01

[6]

一种制备氮化碳薄膜的方法 [P].

汪建新 ;

闫浩然 ;

姜崇喜 ;

杨国强 ;

陈太军 ;

陈迪 .

中国专利 :CN105331949B ,2016-02-17

[7]

磷掺杂石墨相氮化碳纳米薄膜的制备方法 [P].

卢小泉 ;

权晶晶 ;

秦冬冬 ;

李洋 ;

段世芳 ;

耿园园 ;

贺彩花 ;

王秋红 .

中国专利 :CN107043222B ,2017-08-15

[8]

一种碳掺杂石墨相氮化碳薄膜及其制备方法 [P].

张瑞勤 ;

熊伟 .

中国专利 :CN109894134A ,2019-06-18

[9]

一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法 [P].

刘键 ;

饶志鹏 ;

夏洋 ;

石莎莉 .

中国专利 :CN102011103B ,2011-04-13

[10]

一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 [P].

夏洋 ;

饶志鹏 ;

万军 ;

刘键 ;

李超波 ;

陈波 ;

黄成强 ;

石莎莉 ;

李勇滔 .

中国专利 :CN102321919A ,2012-01-18

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