高光电导增益氮化碳薄膜制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03116464.1

申请日：

2003-04-17

公开(公告)号：

CN1265018C

公开(公告)日：

2003-09-24

发明(设计)人：

周之斌崔容强蔡燕晖刘梅苍

申请人：

申请人地址：

200030上海市华山路1954号

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C1406

代理机构：

上海交达专利事务所

代理人：

王锡麟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101003138197 IPC(主分类):C23C 14/34 专利号:ZL031164641 申请日:20030417 授权公告日:20060719
2003-09-24	公开	公开
2006-07-19	授权	授权
2003-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种碳自掺杂氮化碳光电薄膜的制备方法 [P].

沈洪雪 ;

李刚 ;

金克武 ;

王天齐 .

中国专利 :CN110983273A ,2020-04-10

[2]

纳米多晶氮化碳薄膜的制备方法 [P].

刘维民 ;

郝俊英 .

中国专利 :CN101205608A ,2008-06-25

[3]

制备结晶氮化碳薄膜的装置 [P].

马志斌 ;

万军 ;

汪建华 ;

王卫红 .

中国专利 :CN2652948Y ,2004-11-03

[4]

磷掺杂石墨相氮化碳纳米薄膜的制备方法 [P].

卢小泉 ;

权晶晶 ;

秦冬冬 ;

李洋 ;

段世芳 ;

耿园园 ;

贺彩花 ;

王秋红 .

中国专利 :CN107043222B ,2017-08-15

[5]

一种半导体氮化碳薄膜的制备方法 [P].

吕瑞涛 ;

甘鑫 ;

王旭阳 ;

黄正宏 ;

康飞宇 .

中国专利 :CN105925954B ,2016-09-07

[6]

一种制备氮化碳薄膜的方法 [P].

汪建新 ;

闫浩然 ;

姜崇喜 ;

杨国强 ;

陈太军 ;

陈迪 .

中国专利 :CN105331949B ,2016-02-17

[7]

制备结晶氮化碳薄膜的方法及装置 [P].

马志斌 ;

万军 ;

汪建华 ;

王卫红 .

中国专利 :CN1271244C ,2003-12-24

[8]

一种透光性硬质氮化碳薄膜的制备方法 [P].

姜礼华 ;

彭宇 ;

汪涛 ;

肖婷 ;

向鹏 ;

谭新玉 .

中国专利 :CN108165952A ,2018-06-15

[9]

晶态α和β相氮化碳薄膜材料及其制备方法 [P].

陈岩 ;

王恩哥 ;

郭莉萍 .

中国专利 :CN1151386A ,1997-06-11

[10]

一种氮化碳薄膜材料及其制备方法 [P].

刘彦菊 ;

冷劲松 ;

王雪婷 ;

张风华 .

中国专利 :CN109536918A ,2019-03-29

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