制备结晶氮化碳薄膜的方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03128121.4

申请日：

2003-06-10

公开(公告)号：

CN1271244C

公开(公告)日：

2003-12-24

发明(设计)人：

马志斌万军汪建华王卫红

申请人：

申请人地址：

430074湖北省武汉市洪山区卓刀泉路366号

IPC主分类号：

C23C16515

IPC分类号：

C23C1634

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司

代理人：

王守仁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-08-23	授权	授权
2004-03-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-08-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101097918848 IPC(主分类):C23C 16/515 专利号:ZL031281214 申请日:20030610 授权公告日:20060823 终止日期:20100610
2003-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

制备结晶氮化碳薄膜的装置 [P].

马志斌 ;

万军 ;

汪建华 ;

王卫红 .

中国专利 :CN2652948Y ,2004-11-03

[2]

纳米多晶氮化碳薄膜的制备方法 [P].

刘维民 ;

郝俊英 .

中国专利 :CN101205608A ,2008-06-25

[3]

一种制备氮化碳薄膜的方法 [P].

汪建新 ;

闫浩然 ;

姜崇喜 ;

杨国强 ;

陈太军 ;

陈迪 .

中国专利 :CN105331949B ,2016-02-17

[4]

高光电导增益氮化碳薄膜制备方法 [P].

周之斌 ;

崔容强 ;

蔡燕晖 ;

刘梅苍 .

中国专利 :CN1265018C ,2003-09-24

[5]

一种透光性硬质氮化碳薄膜的制备方法 [P].

姜礼华 ;

彭宇 ;

汪涛 ;

肖婷 ;

向鹏 ;

谭新玉 .

中国专利 :CN108165952A ,2018-06-15

[6]

磷掺杂石墨相氮化碳纳米薄膜的制备方法 [P].

卢小泉 ;

权晶晶 ;

秦冬冬 ;

李洋 ;

段世芳 ;

耿园园 ;

贺彩花 ;

王秋红 .

中国专利 :CN107043222B ,2017-08-15

[7]

一种半导体氮化碳薄膜的制备方法 [P].

吕瑞涛 ;

甘鑫 ;

王旭阳 ;

黄正宏 ;

康飞宇 .

中国专利 :CN105925954B ,2016-09-07

[8]

一种高结晶氮化碳膜的制备方法及其应用 [P].

苏士岗 ;

杨传伦 ;

魏国强 ;

韩新磊 ;

王珍 ;

张伟 ;

何明亮 ;

绳则翠 ;

张心青 ;

潘冬梅 .

中国专利 :CN115282788B ,2024-02-02

[9]

一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法 [P].

刘键 ;

饶志鹏 ;

夏洋 ;

石莎莉 .

中国专利 :CN102011103B ,2011-04-13

[10]

一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 [P].

刘键 ;

饶志鹏 ;

夏洋 ;

石莎莉 .

中国专利 :CN101985744A ,2011-03-16

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