一种碳自掺杂氮化碳纳米薄膜电极的简单制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710092671.9

申请日：

2017-02-21

公开(公告)号：

CN106848494B

公开(公告)日：

2017-06-13

发明(设计)人：

顾泉刘建妮贾巧慧高子伟张伟强

申请人：

申请人地址：

710062 陕西省西安市长安南路199号

IPC主分类号：

H01M1400

IPC分类号：

H01G920 H01G900

代理机构：

西安永生专利代理有限责任公司 61201

代理人：

高雪霞

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-28	授权	授权
2017-06-13	公开	公开
2017-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101731982797 IPC(主分类):H01M 14/00 专利申请号:2017100926719 申请日:20170221

共 50 条

[1]

碳掺杂氮化碳薄膜电极的制备方法 [P].

周成赟 ;

曾光明 ;

黄丹莲 ;

赖萃 ;

张辰 ;

程敏 ;

胡亮 ;

熊炜平 ;

秦蕾 ;

文晓凤 ;

温铭 .

中国专利 :CN107570190A ,2018-01-12

[2]

一种碳自掺杂氮化碳光电薄膜的制备方法 [P].

沈洪雪 ;

李刚 ;

金克武 ;

王天齐 .

中国专利 :CN110983273A ,2020-04-10

[3]

磷掺杂石墨相氮化碳纳米薄膜的制备方法 [P].

卢小泉 ;

权晶晶 ;

秦冬冬 ;

李洋 ;

段世芳 ;

耿园园 ;

贺彩花 ;

王秋红 .

中国专利 :CN107043222B ,2017-08-15

[4]

一种石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法 [P].

吕晓伟 ;

孙小华 ;

黄妞 ;

孙盼盼 .

中国专利 :CN110176505A ,2019-08-27

[5]

一种硼或磷掺杂石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法 [P].

吕晓伟 ;

汪丽平 ;

张豆豆 ;

黄妞 ;

孙盼盼 ;

孙小华 .

中国专利 :CN114032578A ,2022-02-11

[6]

一种碳掺杂石墨相氮化碳薄膜及其制备方法 [P].

张瑞勤 ;

熊伟 .

中国专利 :CN109894134A ,2019-06-18

[7]

一种吡啶改性石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法 [P].

吕晓伟 ;

张顺 ;

陈德国 ;

孙盼盼 ;

孙小华 .

中国专利 :CN115627498A ,2023-01-20

[8]

一种吡啶改性石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法 [P].

吕晓伟 ;

张顺 ;

陈德国 ;

孙盼盼 ;

孙小华 .

中国专利 :CN115627498B ,2024-10-18

[9]

一种重K掺杂氮化碳纳米晶的制备方法及应用 [P].

郭新立 ;

郑燕梅 ;

曲俊男 ;

李钰莹 ;

曹震 ;

李瑞婷 ;

崔煜 .

中国专利 :CN118495481A ,2024-08-16

[10]

纳米多晶氮化碳薄膜的制备方法 [P].

刘维民 ;

郝俊英 .

中国专利 :CN101205608A ,2008-06-25

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