ZnO基发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910214542.8

申请日：

2009-12-31

公开(公告)号：

CN101777612A

公开(公告)日：

2010-07-14

发明(设计)人：

孙慧卿郭志友王雨田邓贝陈鹏孔利平

申请人：

申请人地址：

510631广东省广州市天河区石牌中山大道西55号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3328

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

何淑珍;廖继海

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005740088 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2009102145428 申请日:20091231
2010-07-14	公开	公开
2015-02-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101599919251 IPC(主分类):H01L 33/06 专利号:ZL2009102145428 申请日:20091231 授权公告日:20121205 终止日期:20131231
2012-12-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种ZnO基发光二极管及其制备方法 [P].

朱丽萍 ;

顾修全 ;

叶志镇 ;

赵炳辉 .

中国专利 :CN1945867A ,2007-04-11

[2]

ZnO基量子阱发光二极管 [P].

朱丽萍 .

中国专利 :CN202549912U ,2012-11-21

[3]

发光二极管及其制备方法 [P].

董雪振 ;

毕京锋 ;

李森林 .

中国专利 :CN118198215A ,2024-06-14

[4]

一种ZnO基发光二极管 [P].

朱丽萍 ;

顾修全 ;

叶志镇 ;

赵炳辉 .

中国专利 :CN200965888Y ,2007-10-24

[5]

一种ZnO基发光二极管及其制备方法 [P].

叶志镇 ;

袁国栋 ;

黄靖云 ;

曾昱嘉 ;

吕建国 ;

马德伟 .

中国专利 :CN1529365A ,2004-09-15

[6]

发光二极管及发光装置 [P].

白龙贤 ;

姜志勳 ;

金材宪 ;

朴志焄 .

中国专利 :CN214378485U ,2021-10-08

[7]

发光二极管及发光装置 [P].

李福龙 ;

黄仕贤 ;

陈政佑 ;

魏金栋 ;

刘晗欣 ;

王立伟 ;

刘晓峰 .

中国专利 :CN119451325A ,2025-02-14

[8]

ZnO基透明电极发光二极管及其制备方法 [P].

叶志镇 ;

陈丹 ;

黄靖云 ;

张昊翔 ;

江忠永 .

中国专利 :CN102646767A ,2012-08-22

[9]

ZnO基发光二极管 [P].

叶志镇 ;

黄靖云 ;

马德伟 ;

赵炳辉 .

中国专利 :CN1399357A ,2003-02-26

[10]

一种垂直结构ZnO基多量子阱发光二极管及其制备方法 [P].

叶志镇 ;

张利强 ;

黄靖云 ;

张银珠 .

中国专利 :CN101621104A ,2010-01-06

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