ZnO基量子阱发光二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120458846.1

申请日：

2011-11-18

公开(公告)号：

CN202549912U

公开(公告)日：

2012-11-21

发明(设计)人：

朱丽萍

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市鸠江经济开发区富强路55号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

代理机构：

安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112

代理人：

方峥

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-21	授权	授权
2018-01-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20111118 授权公告日:20121121 终止日期:20161118

共 50 条

[1]

ZnO基量子点发光二极管 [P].

叶志镇 ;

曾昱嘉 .

中国专利 :CN200959338Y ,2007-10-10

[2]

一种ZnO基发光二极管 [P].

朱丽萍 ;

顾修全 ;

叶志镇 ;

赵炳辉 .

中国专利 :CN200965888Y ,2007-10-24

[3]

一种ZnO基发光二极管及其制备方法 [P].

朱丽萍 ;

顾修全 ;

叶志镇 ;

赵炳辉 .

中国专利 :CN1945867A ,2007-04-11

[4]

多量子阱结构、发光二极管以及发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102122690A ,2011-07-13

[5]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102104096A ,2011-06-22

[6]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102130246A ,2011-07-20

[7]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102104097A ,2011-06-22

[8]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102104098A ,2011-06-22

[9]

量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管 [P].

陈弘 ;

贾海强 ;

江洋 ;

马紫光 ;

王文新 ;

王禄 ;

戴隆贵 ;

李卫 .

中国专利 :CN105226145A ,2016-01-06

[10]

具有梯形量子阱结构的发光二极管 [P].

陈弘 ;

周均铭 ;

李东升 ;

于洪波 ;

贾海强 .

中国专利 :CN2653700Y ,2004-11-03

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