多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110008901.1

申请日：

2011-01-14

公开(公告)号：

CN102104097A

公开(公告)日：

2011-06-22

发明(设计)人：

肖德元张汝京

申请人：

申请人地址：

201203 上海市临港产业区新元南路555号金融中心211室

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3300 H01L3356 H01L3350

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-22	公开	公开
2011-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101094135741 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2011100089011 申请日:20110114
2013-03-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101532396694 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2011100089011 申请公布日:20110622

共 50 条

[1]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102130246A ,2011-07-20

[2]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102104098A ,2011-06-22

[3]

多量子阱结构、发光二极管以及发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102122690A ,2011-07-13

[4]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102104096A ,2011-06-22

[5]

多量子阱结构及其制造方法、发光二极管 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102142492A ,2011-08-03

[6]

多量子阱结构及其制造方法、发光二极管 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102122688B ,2011-07-13

[7]

多量子阱结构及其制造方法、发光二极管 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102122689B ,2011-07-13

[8]

发光二极管及发光二极管封装件 [P].

吴世熙 ;

金钟奎 ;

金贤儿 .

中国专利 :CN108574030B ,2018-09-25

[9]

发光二极管及发光二极管封装 [P].

朴德炫 ;

文盛煜 ;

朴相绿 ;

郑炳学 .

中国专利 :CN107851688B ,2018-03-27

[10]

多量子阱结构及发光二极管 [P].

黄世晟 ;

林雅雯 ;

凃博闵 .

中国专利 :CN103545406A ,2014-01-29

← 1 2 3 4 5 →