多量子阱结构及发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210244973.0

申请日：

2012-07-16

公开(公告)号：

CN103545406A

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

黄世晟林雅雯凃博闵

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101741212559 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2012102449730 申请公布日:20140129
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576171224 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2012102449730 申请日:20120716
2014-01-29	公开	公开

共 50 条

[1]

多量子阱结构、发光二极管以及发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102122690A ,2011-07-13

[2]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102104096A ,2011-06-22

[3]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102104097A ,2011-06-22

[4]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102130246A ,2011-07-20

[5]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102104098A ,2011-06-22

[6]

具有多量子阱结构的发光二极管 [P].

陈弘 ;

于洪波 ;

周均铭 ;

贾海强 ;

韩英军 ;

黄绮 .

中国专利 :CN2596557Y ,2003-12-31

[7]

多量子阱结构、发光二极管和发光组件 [P].

刘慰华 ;

程凯 .

中国专利 :CN116615808B ,2025-12-19

[8]

一种多量子阱结构及发光二极管 [P].

李家安 ;

李政鸿 ;

林兓兓 ;

张家豪 .

中国专利 :CN213636023U ,2021-07-06

[9]

多量子阱结构及其制造方法、发光二极管 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102122688B ,2011-07-13

[10]

多量子阱结构及其制造方法、发光二极管 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102142492A ,2011-08-03

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