一种多量子阱结构及发光二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202022230865.0

申请日：

2020-10-10

公开(公告)号：

CN213636023U

公开(公告)日：

2021-07-06

发明(设计)人：

李家安李政鸿林兓兓张家豪

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3332

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-06	授权	授权

共 50 条

[1]

多量子阱结构及发光二极管 [P].

黄世晟 ;

林雅雯 ;

凃博闵 .

中国专利 :CN103545406A ,2014-01-29

[2]

一种多量子阱结构及其发光二极管 [P].

江汉 ;

蓝永凌 ;

黄文宾 ;

宋长伟 ;

黄理承 ;

寻飞林 ;

林兓兓 ;

蔡吉明 ;

张家宏 .

中国专利 :CN107086258B ,2017-08-22

[3]

一种多量子阱结构及其发光二极管 [P].

徐志波 ;

林兓兓 ;

蔡吉明 .

中国专利 :CN208753355U ,2019-04-16

[4]

一种多量子阱结构及其发光二极管 [P].

蓝永凌 ;

林兓兓 ;

蔡吉明 .

中国专利 :CN208862012U ,2019-05-14

[5]

多量子阱结构及包含该多量子阱结构的氮化物发光二极管 [P].

蓝永凌 ;

张家宏 ;

林兓兓 ;

谢祥彬 ;

黄文宾 .

中国专利 :CN204760413U ,2015-11-11

[6]

具有多量子阱结构的发光二极管 [P].

陈弘 ;

于洪波 ;

周均铭 ;

贾海强 ;

韩英军 ;

黄绮 .

中国专利 :CN2596557Y ,2003-12-31

[7]

多量子阱结构、发光二极管以及发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102122690A ,2011-07-13

[8]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102104096A ,2011-06-22

[9]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102104097A ,2011-06-22

[10]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102130246A ,2011-07-20

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