多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110008796.1

申请日：

2011-01-14

公开(公告)号：

CN102104096A

公开(公告)日：

2011-06-22

发明(设计)人：

肖德元张汝京

申请人：

申请人地址：

201203 上海市临港产业区新元南路555号金融中心211室

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3300 H01L3356 H01L3350

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101094135978 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2011100087961 申请日:20110114
2013-03-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101529008009 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2011100087961 申请公布日:20110622
2011-06-22	公开	公开

共 50 条

[1]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102104097A ,2011-06-22

[2]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102130246A ,2011-07-20

[3]

多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102104098A ,2011-06-22

[4]

多量子阱结构、发光二极管以及发光二极管封装件 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102122690A ,2011-07-13

[5]

多量子阱结构及其制造方法、发光二极管 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102142492A ,2011-08-03

[6]

多量子阱结构及发光二极管 [P].

黄世晟 ;

林雅雯 ;

凃博闵 .

中国专利 :CN103545406A ,2014-01-29

[7]

多量子阱结构、发光二极管和发光组件 [P].

刘慰华 ;

程凯 .

中国专利 :CN116615808B ,2025-12-19

[8]

发光二极管封装件和发光二极管模块 [P].

金明珍 ;

吴光龙 ;

柳承烈 .

中国专利 :CN107863336A ,2018-03-30

[9]

发光二极管封装件和发光二极管模块 [P].

金明珍 ;

吴光龙 ;

柳承烈 .

中国专利 :CN110649007A ,2020-01-03

[10]

发光二极管器件和发光二极管封装件 [P].

M·勒米厄 ;

C·沃尔夫 ;

B·亨普希尔 .

美国专利 :CN120787013A ,2025-10-14

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