一种低应力氮化硅薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510445567.4

申请日：

2015-07-27

公开(公告)号：

CN105070646B

公开(公告)日：

2015-11-18

发明(设计)人：

周华芳

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

成都华风专利事务所(普通合伙) 51223

代理人：

徐丰

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-13	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101730733463 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015104455674 变更事项:申请人变更前:成都嘉石科技有限公司变更后:成都海威华芯科技有限公司变更事项:地址变更前:610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内变更后:610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内
2015-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101637750595 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015104455674 申请日:20150727
2015-11-18	公开	公开
2017-11-10	授权	授权

共 50 条

[1]

低应力氮化硅薄膜的成长方法 [P].

石家燕 .

中国专利 :CN105070644B ,2015-11-18

[2]

一种低应力氮化硅薄膜的形成方法 [P].

洪齐元 ;

黄海 .

中国专利 :CN103871867A ,2014-06-18

[3]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

尹勇 .

中国专利 :CN110473768A ,2019-11-19

[4]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

林嘉佑 .

中国专利 :CN103334087A ,2013-10-02

[5]

一种氮化硅薄膜制备方法 [P].

雷通 ;

桑宁波 .

中国专利 :CN104152865A ,2014-11-19

[6]

一种高压应力氮化硅薄膜的制备方法 [P].

曾绍海 ;

左青云 .

中国专利 :CN103280400A ,2013-09-04

[7]

一种无水泡的低应力氮化硅薄膜制作方法 [P].

陈曦 ;

王俊力 .

中国专利 :CN109972117A ,2019-07-05

[8]

氮化硅薄膜及其制备方法 [P].

阮勇 ;

尤政 ;

魏启鹏 ;

刘通 .

中国专利 :CN108389780A ,2018-08-10

[9]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

李展信 .

中国专利 :CN103924212A ,2014-07-16

[10]

一种低介电氮化硅薄膜及其制备方法和应用 [P].

霍岩 ;

李禾禾 ;

李鑫涛 ;

纪东旭 ;

董岐 .

中国专利 :CN119092400A ,2024-12-06

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