一种无水泡的低应力氮化硅薄膜制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910252107.8

申请日：

2019-03-29

公开(公告)号：

CN109972117A

公开(公告)日：

2019-07-05

发明(设计)人：

陈曦王俊力

申请人：

申请人地址：

430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

IPC主分类号：

C23C1634

IPC分类号：

C23C1640 C23C1656 C23C1602 B81C100

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222

代理人：

李明娅

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-05	公开	公开
2019-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/34 申请日:20190329
2021-08-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 16/34 申请公布日:20190705

共 50 条

[1]

低应力氮化硅薄膜的成长方法 [P].

石家燕 .

中国专利 :CN105070644B ,2015-11-18

[2]

一种低应力氮化硅薄膜的制备方法 [P].

周华芳 .

中国专利 :CN105070646B ,2015-11-18

[3]

一种低应力氮化硅薄膜的形成方法 [P].

洪齐元 ;

黄海 .

中国专利 :CN103871867A ,2014-06-18

[4]

一种无水泡的低应力多晶硅薄膜制作方法 [P].

陈曦 ;

瞿涛 ;

卓文君 ;

王俊力 ;

贾文章 .

中国专利 :CN107993929A ,2018-05-04

[5]

一种氮化硅膜的制作方法及氮化硅膜 [P].

纪幸辰 .

中国专利 :CN108570656B ,2018-09-25

[6]

氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作装置 [P].

森崎仁史 ;

神谷保志 ;

野村秀二 ;

户塚正裕 ;

奥友希 ;

服部亮 .

中国专利 :CN100413036C ,2003-11-05

[7]

氮化硅薄膜及MIM电容的制作方法 [P].

雷天飞 ;

秦仁刚 .

中国专利 :CN105336574B ,2016-02-17

[8]

一种超薄氮化硅微栅芯片的制作方法 [P].

邱晓滨 ;

欧阳亮 .

中国专利 :CN109326513A ,2019-02-12

[9]

氮化硅薄膜的制造方法 [P].

李展信 .

中国专利 :CN103578937A ,2014-02-12

[10]

一种高压应力氮化硅薄膜的制备方法 [P].

曾绍海 ;

左青云 .

中国专利 :CN103280400A ,2013-09-04

← 1 2 3 4 5 →