一种无水泡的低应力多晶硅薄膜制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN201711014518.0
申请日
2017-10-26
公开(公告)号
CN107993929A
公开(公告)日
2018-05-04
发明(设计)人
陈曦 瞿涛 卓文君 王俊力 贾文章
申请人
申请人地址
225000 江苏省扬州市头桥镇西贝路
IPC主分类号
H01L21205
IPC分类号
B81C100
代理机构
常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233
代理人
万花
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
低应力多晶硅薄膜的制作方法 [P]. 
李琳松 .
中国专利 :CN104681413A ,2015-06-03
[2]
多晶硅薄膜的制作方法 [P]. 
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李俊峰 .
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[3]
一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜 [P]. 
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李良坚 ;
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[4]
低温多晶硅薄膜制作方法 [P]. 
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吴宏基 ;
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[5]
一种多晶硅的制作方法及多晶硅薄膜 [P]. 
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[6]
低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P]. 
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[7]
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[8]
一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜 [P]. 
田雪雁 ;
龙春平 ;
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[9]
低温多晶硅薄膜的制作方法 [P]. 
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[10]
多晶硅薄膜的制作方法 [P]. 
陈昱丞 ;
林家兴 ;
陈宏泽 .
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