一种多晶硅薄膜基板制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310573192.0

申请日：

2013-11-13

公开(公告)号：

CN103560077A

公开(公告)日：

2014-02-05

发明(设计)人：

刘德明

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B3004

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

李迪

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576332793 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013105731920 申请日:20131113
2014-02-05	公开	公开
2016-12-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101742991230 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013105731920 申请公布日:20140205

共 50 条

[1]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[2]

一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜 [P].

任庆荣 ;

李良坚 ;

刘政 .

中国专利 :CN107017153A ,2017-08-04

[3]

低温多晶硅薄膜制作方法 [P].

叶冠华 ;

吴宏基 ;

黄荣龙 .

中国专利 :CN101236898A ,2008-08-06

[4]

多晶硅薄膜的制作方法 [P].

朱阳杰 ;

李俊峰 .

中国专利 :CN108493094B ,2018-09-04

[5]

一种多晶硅的制作方法及多晶硅薄膜 [P].

田雪雁 .

中国专利 :CN106229254B ,2016-12-14

[6]

低温多晶硅基板的制作方法及低温多晶硅基板 [P].

聂晓辉 .

中国专利 :CN110838467A ,2020-02-25

[7]

制作低温多晶硅薄膜的方法 [P].

张志雄 ;

陈亦伟 ;

孙铭伟 .

中国专利 :CN100433242C ,2005-05-11

[8]

一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜 [P].

田雪雁 ;

龙春平 ;

姚江峰 .

中国专利 :CN102709160B ,2012-10-03

[9]

低温多晶硅薄膜的制作方法 [P].

王承贤 ;

彭思君 .

中国专利 :CN104658898A ,2015-05-27

[10]

一种多晶硅薄膜制作方法 [P].

曾煌 .

中国专利 :CN110581058A ,2019-12-17

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