一种多晶硅薄膜制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810923670.9

申请日：

2018-08-14

公开(公告)号：

CN110581058A

公开(公告)日：

2019-12-17

发明(设计)人：

曾煌

申请人：

申请人地址：

201506 上海市金山区九工路1568号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2178

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

孟金喆

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-17	公开	公开
2022-01-07	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更事项:申请人变更前:上海和辉光电有限公司变更后:上海和辉光电股份有限公司变更事项:地址变更前:201506 上海市金山区九工路1568号变更后:201506 上海市金山区九工路1568号
2022-01-18	授权	授权
2020-01-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180814

共 50 条

[1]

一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜 [P].

任庆荣 ;

李良坚 ;

刘政 .

中国专利 :CN107017153A ,2017-08-04

[2]

一种多晶硅的制作方法及多晶硅薄膜 [P].

田雪雁 .

中国专利 :CN106229254B ,2016-12-14

[3]

多晶硅薄膜的制作方法 [P].

陈昱丞 ;

林家兴 ;

陈宏泽 .

中国专利 :CN1983521A ,2007-06-20

[4]

低温多晶硅薄膜制作方法 [P].

叶冠华 ;

吴宏基 ;

黄荣龙 .

中国专利 :CN101236898A ,2008-08-06

[5]

多晶硅薄膜的制作方法 [P].

朱阳杰 ;

李俊峰 .

中国专利 :CN108493094B ,2018-09-04

[6]

一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜 [P].

田雪雁 ;

龙春平 ;

姚江峰 .

中国专利 :CN102709160B ,2012-10-03

[7]

一种多晶硅薄膜基板制作方法 [P].

刘德明 .

中国专利 :CN103560077A ,2014-02-05

[8]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[9]

低温多晶硅薄膜的制作方法 [P].

王承贤 ;

彭思君 .

中国专利 :CN104658898A ,2015-05-27

[10]

一种低温多晶硅薄膜的制作方法 [P].

田雪雁 ;

龙春平 ;

姚江峰 .

中国专利 :CN102655089A ,2012-09-05

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