一种忆感器对数模型等效电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201510916922.1
申请日
2015-12-10
公开(公告)号
CN105389443A
公开(公告)日
2016-03-09
发明(设计)人
王光义 史传宝 王晋
申请人
申请人地址
310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
IPC主分类号
G06F1750
IPC分类号
代理机构
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240
代理人
杜军
法律状态
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
国省代码
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共 50 条
[1]
忆感器对数模型等效电路 [P]. 
王光义 ;
史传宝 ;
王晋 .
中国专利 :CN205318384U ,2016-06-15
[2]
一种基于忆容器和忆感器的混沌振荡器的等效电路模型 [P]. 
王晓媛 ;
俞军 ;
张雪 ;
闵小涛 .
中国专利 :CN108833073B ,2018-11-16
[3]
基于对数型忆容器的混沌振荡器的等效电路 [P]. 
周玮 ;
王光义 ;
董玉姣 .
中国专利 :CN110516352A ,2019-11-29
[4]
一种对数型荷控忆容器等效电路模型 [P]. 
王光义 ;
王亚波 ;
王晓炜 ;
董玉姣 .
中国专利 :CN109684747A ,2019-04-26
[5]
一种磁控忆感器模型的等效模拟电路 [P]. 
王光义 ;
张娜 ;
丘嵘 .
中国专利 :CN107526896A ,2017-12-29
[6]
一种忆感器的等效模拟电路 [P]. 
王光义 ;
郑利京 ;
韩春艳 ;
马德明 .
中国专利 :CN108416102A ,2018-08-17
[7]
一种流控忆感器的等效模拟电路 [P]. 
王光义 ;
吴泽炎 ;
丘嵘 ;
周玮 .
中国专利 :CN107526897A ,2017-12-29
[8]
磁控忆容器等效电路 [P]. 
王光义 ;
吴珺 ;
蔡博振 ;
王晋 .
中国专利 :CN205563569U ,2016-09-07
[9]
一种磁控忆容器等效电路 [P]. 
王光义 ;
吴珺 ;
蔡博振 ;
王晋 .
中国专利 :CN105373677B ,2016-03-02
[10]
磁控忆阻器等效电路 [P]. 
刘国华 ;
王光义 .
中国专利 :CN203352560U ,2013-12-18